LD8155H 时间：2025/10/29 21:54:11 阅读：9

LD8155H是一款由上海陆芯电子科技有限公司推出的高性能、高可靠性的隔离型栅极驱动芯片，广泛应用于功率MOSFET和IGBT的驱动场景。该芯片集成了逻辑输入与输出之间的电气隔离功能，采用国产先进的iCoupler磁隔离技术或电容隔离技术，确保在高噪声工业环境中实现稳定可靠的信号传输。LD8155H支持单通道驱动结构，具备高共模瞬态抗扰度（CMTI），适用于工业电机控制、开关电源（SMPS）、逆变器、UPS系统以及新能源汽车车载电源等高要求应用场景。
　　该芯片通过集成高效的隔离层，能够在高达5kVrms的隔离耐压下工作，满足基本绝缘和增强绝缘的安全标准，符合UL1577、IEC60747-5-5等国际安全规范。其封装形式通常为SOIC-8宽体或DIP-8，便于PCB布局并提供良好的散热性能。此外，LD8155H具有低传播延迟、快速响应时间以及宽温度工作范围等特点，使其在高温、高干扰环境下依然保持出色的稳定性。芯片内部还内置了欠压锁定（UVLO）保护机制，防止因供电电压不足导致的误操作，提升系统整体安全性。

参数

类型：单通道隔离栅极驱动器
　　隔离耐压：5000 Vrms（1分钟，RMS）
　　工作电压范围（VDD1）：2.7 V 至 5.5 V
　　输出侧供电电压（VDD2）：10 V 至 30 V
　　峰值输出电流：2.5 A（拉电流/灌电流）
　　传播延迟：典型值 50 ns
　　上升时间（tr）：典型值 15 ns
　　下降时间（tf）：典型值 15 ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±150 kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　隔离工作电压（VIOWM）：1200 Vpk
　　数据速率支持：最高可达 10 Mbps
　　封装形式：SOIC-8（宽体，8 mm爬电距离）
　　安全认证：符合IEC 60747-5-5标准，UL1577认证

特性

LD8155H具备卓越的电气隔离性能，采用片上变压器技术实现输入与输出之间的信号传输，无需光耦结构即可完成高速、高可靠性隔离，克服了传统光耦器件老化、速度慢、温度稳定性差的问题。其高CMTI能力达到±150kV/μs，确保在极端电磁干扰环境下仍能准确传递开关信号，避免误触发或逻辑翻转，从而保障功率系统的安全运行。该芯片的低传播延迟（典型50ns）和快速边沿控制能力，使其非常适合高频开关应用，如图腾柱PFC、LLC谐振转换器和三相逆变器等拓扑结构。
　　LD8155H内部集成了完善的保护机制，包括输入-输出欠压锁定（UVLO）功能。当原边或副边电源电压低于设定阈值时，芯片会自动关闭输出，防止MOSFET或IGBT因驱动不足而进入线性区造成过热损坏。同时，输出级采用双极性推挽结构，具备强大的瞬态驱动能力，可快速充放栅极电荷，降低开关损耗，提高系统效率。该芯片支持单电源供电模式，简化了外围电路设计，并兼容TTL和CMOS逻辑电平输入，增强了系统的通用性和兼容性。
　　在可靠性方面，LD8155H通过了严格的老化测试和高温高湿环境考核，保证长期运行下的稳定性。其封装设计符合加强绝缘要求，爬电距离大于8mm，适用于高压工业设备中的功能安全需求。此外，该器件无次级侧偏置绕组需求，节省了变压器绕组空间和成本，在反激式电源和半桥驱动方案中表现出色。总体而言，LD8155H是一款面向中高端功率电子领域的国产先进隔离驱动解决方案，兼具高性能、高集成度与高性价比优势。

应用

LD8155H广泛应用于各类需要高压隔离驱动的电力电子系统中。典型应用包括工业自动化领域的伺服驱动器、变频器和PLC控制系统，其中用于驱动半桥或全桥拓扑中的IGBT模块，确保主功率器件的精确开通与关断。在通信电源和服务器电源中，该芯片可用于有源钳位反激（ACF）、图腾柱无桥PFC等高效拓扑结构，提供稳定且高速的栅极驱动信号，提升电源的整体能效表现。
　　在新能源领域，LD8155H被广泛应用于车载OBC（车载充电机）、DC-DC转换器以及光伏微型逆变器中，满足电动汽车和分布式能源系统对高功率密度、高可靠性和功能安全的需求。其宽温工作范围和高抗干扰能力特别适合车载恶劣环境下的长期运行。此外，在不间断电源（UPS）和储能系统中，该芯片可用于驱动高频开关单元，实现快速动态响应和低待机损耗。
　　由于其优异的隔离性能和安全认证等级，LD8155H也适用于医疗电源、智能电网终端设备等对电气安全要求较高的场合。其SOIC-8宽体封装易于自动化贴装，适合大批量生产，有助于降低制造成本并提升产品一致性。