LD50SB100-G 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率二极管,属于肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode, SBD)类别。该器件采用先进的平面硅外延技术,具备较低的正向压降和较快的开关速度,非常适合用于高频开关电源、DC/DC转换器、逆变器以及整流电路等应用。LD50SB100-G 具有良好的热稳定性和可靠性,适用于工业和汽车电子系统。
类型:肖特基二极管
最大正向电流(IF):50A
最大反向电压(VR):100V
正向压降(VF):约0.75V @ 25A
反向漏电流(IR):≤ 100μA @ 100V
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-247
LD50SB100-G 作为一款高性能肖特基二极管,其主要特性体现在其低正向压降和快速恢复时间上。该器件的正向压降通常在0.75V左右,这意味着在大电流工作条件下,其导通损耗相对较低,从而提高了整体系统的能效。此外,肖特基二极管本身具有极短的反向恢复时间(trr),这使得LD50SB100-G在高频开关应用中表现出色,有助于减少开关损耗并提升系统效率。
在可靠性方面,LD50SB100-G的工作温度范围广泛,从-55°C到+175°C,使其适用于各种严苛环境,包括汽车电子、工业电源和通信设备。该器件的TO-247封装具备良好的散热性能,有助于在高功率应用中保持稳定的工作状态。此外,该二极管具有较强的浪涌电流承受能力,增强了其在复杂电路环境中的稳定性。
从制造工艺来看,LD50SB100-G采用了STMicroelectronics成熟的硅外延技术和平面封装工艺,确保了器件在长期运行中的稳定性和一致性。其封装材料符合RoHS标准,支持环保设计,符合现代电子设备对绿色制造的要求。
LD50SB100-G 主要应用于高效率开关电源(SMPS)、DC/DC转换器、UPS不间断电源、电池管理系统(BMS)、逆变器以及太阳能光伏逆变系统等。其低正向压降和快速恢复时间使其特别适合于高频整流和续流应用,例如在同步整流电路中与MOSFET配合使用,以提高整体转换效率。此外,该器件也广泛用于汽车电子系统的电源管理模块中,例如车载充电器、电动车辆的电池管理系统等。在通信设备中,LD50SB100-G 可用于为基站电源模块提供高效整流解决方案,确保设备在高负载下稳定运行。
SB5100-E3/45, MBRS5H100T3G, SK30DH100