时间：2025/9/5 21:25:31
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LD3D2N03是一款低电压N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关电路中。其设计旨在提供高效能、低导通电阻和快速开关速度，适用于各种电子设备和工业应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大3.2mΩ（在Vgs=10V）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
LD3D2N03具有极低的导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的高电流承载能力和快速开关特性使其适用于高频率开关应用。此外，其坚固的结构和良好的热性能保证了在恶劣环境下的稳定运行。
该MOSFET采用先进的平面技术，具有优异的雪崩能量耐受能力，能够在过载和短路情况下提供可靠的保护。其栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗，同时保持了良好的抗干扰能力。
LD3D2N03的封装形式为TO-263，具有良好的散热性能，便于安装在PCB上并实现高效的热管理。这种封装形式广泛应用于各种功率电子设备中，确保了器件在高负载条件下的长期可靠性。
LD3D2N03常用于DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统以及各种高功率开关电源中。其低导通电阻和高效率特性使其成为高性能电源设计的理想选择。此外，该器件也适用于汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中的功率管理应用。
SiR178DP-T1-GE3, FDS6680, IRF1324L2TRPBF
