时间：2025/12/27 7:21:21
阅读：12
LD1117AG-1.2是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的低压差线性稳压器（LDO），专为需要稳定低电压输出的便携式电子设备和嵌入式系统设计。该器件能够提供固定的1.2V输出电压，适用于为现代低功耗微处理器、数字信号处理器（DSP）、FPGA内核以及各类低电压逻辑电路供电。LD1117AG-1.2属于LD1117系列低压降稳压器的一部分，具有出色的负载调整率和线路调整率，能够在输入电压变化或负载波动的情况下保持稳定的输出电压。该LDO采用P沟道增强型MOSFET作为传输晶体管，使其在低输入-输出电压差下仍能高效工作，显著降低了功耗并减少了散热需求。器件的最小压差典型值为1.2V @ 1A输出电流，在轻载条件下可进一步降低至几百毫伏，从而提升了电池供电系统的整体效率。此外，LD1117AG-1.2内置了过温保护和过流保护功能，能够在异常工作条件下自动关闭输出，防止器件损坏，提高了系统的可靠性。该芯片通常采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热传导性能，适合在工业温度范围内（0°C至125°C）稳定运行。由于其高集成度、小尺寸和无需外部补偿的设计特点，LD1117AG-1.2广泛应用于消费类电子产品、通信设备、计算机外围设备及工业控制系统中。
输出电压：1.2V（固定）
输出电流：最大1A
输入电压范围：最高20V
压差电压：典型1.2V @ 1A负载
工作结温范围：0°C 至 125°C
静态电流：典型5.5mA
负载调整率：典型15mV
线路调整率：典型18mV
输出电容要求：建议使用≥10μF钽电容或陶瓷电容
封装形式：TO-252 (DPAK)
LD1117AG-1.2具备优异的动态响应能力和高稳定性，这得益于其内部补偿电路设计，使得在各种负载瞬变条件下都能保持输出电压的平稳。其P-MOSFET结构不仅实现了低导通电阻，还大幅降低了传统双极型LDO中的基极驱动损耗，从而提升了转换效率，尤其在输入电压略高于输出电压的应用场景中表现突出。
该器件对输出电容的要求较低，推荐使用最小10μF的钽电容或等效陶瓷电容即可确保环路稳定，避免振荡。与许多需要特定ESR范围电容的传统LDO不同，LD1117AG-1.2兼容低ESR电容，适应现代小型化设计趋势。此外，其内部集成了软启动功能，限制了上电过程中的浪涌电流，防止因输入电源缓慢上升导致的输出电压过冲问题。
过温保护机制采用热关断设计，当芯片结温超过安全阈值（通常约150°C）时自动切断输出，待温度下降后恢复工作，形成自恢复保护模式。同时，内置的电流限制电路可根据输出电流水平进行折返控制，在短路或过载情况下有效限制功耗，防止器件永久性损坏。
LD1117AG-1.2还具有良好的噪声抑制能力，虽然未明确标注PSRR指标，但在实际应用中表现出对输入纹波的有效滤除能力，适合为敏感模拟电路或混合信号系统供电。其静态电流低至5.5mA左右，并且在空载时基本不随输入电压显著增加，有利于延长电池寿命。整个系列引脚兼容多种固定输出版本（如1.8V、2.5V、3.3V等），便于产品升级或电压调整时的PCB布局复用。
LD1117AG-1.2常用于需要精确、稳定1.2V电源轨的场合，例如为高性能微控制器的核心电压（VDD/VCCINT）供电，尤其是在FPGA或ASIC的内核电源管理中发挥重要作用。在嵌入式系统中，它可用于将较高的中间母线电压（如5V或12V）降至1.2V供处理器使用，替代开关电源以减少电磁干扰（EMI）。
在通信设备中，该LDO被广泛应用于基站模块、光网络单元（ONU）和路由器中的信号处理芯片供电部分，因其低噪声特性有助于维持信号完整性。消费类电子产品如智能电视、机顶盒、平板电脑也常采用此类稳压器为SoC芯片提供稳定的低电压电源。
工业自动化领域中，PLC控制器、传感器信号调理电路和数据采集系统依赖LD1117AG-1.2提供的干净电源来保证测量精度和系统稳定性。此外，在测试仪器、医疗电子设备等对电源纯净度要求较高的应用中，该器件也能胜任关键电源调节任务。
由于其TO-252封装具备良好的散热性能，即使在接近满载1A输出时也能通过适当PCB铜箔散热实现长期可靠运行，因此非常适合空间受限但功率密度较高的设计。结合其宽输入电压范围和内置保护功能，LD1117AG-1.2成为众多工程师在中等电流线性稳压方案中的首选之一。
AMS1117-1.2, SPX1117-1.2, AP1117-1.2, MIC5205-1.2, TPS79112
