时间：2025/8/10 0:57:08
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LCMXO2280C3FT256C 是 Lattice Semiconductor（莱迪思半导体）公司推出的 MachXO2 系列中的一款非易失性可编程逻辑器件（FPGA）。该器件采用基于 65nm 闪存技术的 FPGA 架构，具有低功耗、高性能和高集成度的特点。LCMXO2280C3FT256C 采用 256 引脚 FTBGA 封装，适用于需要中等逻辑密度和高性能的工业、通信、消费类电子和汽车应用。该器件内置系统级功能，如嵌入式块存储器（EBR）、用户闪存存储器（UFM）、锁相环（PLL）、高级 I/O 支持以及嵌入式初始化配置存储器，使其能够作为单芯片解决方案使用，简化系统设计并提高可靠性。
型号: LCMXO2280C3FT256C
制造商: Lattice Semiconductor
系列: MachXO2
逻辑单元数（LEs）: 2280
宏单元数: 192
嵌入式块存储器（EBR）: 64 kbits
用户闪存存储器（UFM）: 64 kbits
锁相环（PLL）数量: 2
最大用户 I/O 数量: 170
封装类型: 256-pin FTBGA
工作温度范围: 商业级（0°C 至 85°C）
电源电压范围: 2.375V 至 3.465V（核心电压为 1.2V 内部调节）
工艺技术: 65nm 闪存技术
LCMXO22280C3FT256C 具有多种先进的特性，适用于各种复杂的设计需求。首先，它采用非易失性闪存技术，无需外部配置器件即可上电运行，降低了系统复杂性和成本。其内置的两个锁相环（PLL）可提供精确的时钟管理功能，包括频率合成、相位调整和时钟去偏移，从而提升系统性能和稳定性。此外，该器件支持多种 I/O 标准，包括 LVCMOS、LVTTL、LVDS、RSDS、mini-LVDS 等，具备良好的兼容性和灵活性。 MachXO2 系列还集成了嵌入式块存储器（EBR）和用户闪存存储器（UFM），可用于实现 FIFO、缓存、数据存储等应用，增强系统集成度。LCMXO2280C3FT256C 还具备低功耗设计，支持多种电源管理模式，适用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。此外，该器件支持 Lattice 的 ispLEVER 和 Diamond 编程工具，提供完整的开发环境，便于用户进行快速原型设计和开发。
LCMXO2280C3FT256C 广泛应用于多个领域，包括但不限于通信基础设施、工业控制、消费电子、测试测量设备和汽车电子。在通信领域，它可用于实现接口桥接、协议转换、时钟管理等功能；在工业自动化中，该器件可用于逻辑控制、传感器接口和数据采集系统；在消费类电子产品中，LCMXO2280C3FT256C 可用于实现图像处理、显示控制和人机接口功能；在汽车电子中，该器件适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和传感器融合方案。此外，其高可靠性和单芯片解决方案的特性使其非常适合用于需要快速启动和高稳定性的嵌入式系统。
LCMXO2280C-5FT256C, LCMXO256C-3FT256C, LCMXO21200C3FT256C
