时间：2025/8/10 5:09:31
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Lattice MachXO2系列LCMXO2280C-M-EVN是一款基于非易失性技术的可编程逻辑器件（PLD），由Lattice Semiconductor公司生产。这款器件属于超低密度FPGA类别，适用于需要灵活性和低功耗的中低端应用。LCMXO2280C-M-EVN采用 MachXO2平台，具备高性能、低功耗以及易用性，适合用于接口桥接、I/O扩展、协议转换、控制逻辑等应用。该器件采用132引脚TQFP封装，工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），并且支持多种I/O电压标准，包括1.2V、1.5V、1.8V、2.5V和3.3V。MachXO2系列还集成了嵌入式块RAM、分布式RAM、锁相环（PLL）以及用户闪存（UFM），增强了其在复杂系统设计中的适用性。
型号：LCMXO2280C-M-EVN
制造商：Lattice Semiconductor
系列：MachXO2
逻辑单元数量：2280
封装类型：132-TQFP
最大用户I/O数：99
工作温度范围：-40°C至+85°C
I/O电压支持：1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V
嵌入式块RAM：288 kb
分布式RAM：16 kb
锁相环（PLL）数量：2
用户闪存（UFM）：64 kb
安全特性：比特流加密、防篡改检测
电源电压：1.2V核心电压
编程方式：通过JTAG或闪存
LCMXO2280C-M-EVN作为MachXO2系列的一员，具备多项先进的特性和优势。首先，其采用非易失性闪存技术，使得器件在上电后无需外部配置芯片即可立即运行，从而简化了系统设计并降低了成本。此外，该器件具备极低的待机功耗，非常适合对功耗敏感的应用场景。
该器件的I/O支持多种电压标准，使其能够灵活地与不同接口和外设进行通信。LCMXO2280C-M-EVN内置的嵌入式块RAM和分布式RAM可用于存储数据或实现复杂的逻辑功能，而两个锁相环（PLL）则可以用于时钟合成、频率合成和时钟去歪斜处理，从而提高系统性能和稳定性。
MachXO2系列还包括用户闪存（UFM），可用于存储用户定义的数据或程序，增加了设计的灵活性。此外，该系列器件具备安全特性，如比特流加密和防篡改检测，确保了系统设计的安全性。
该器件可通过Lattice Diamond或Lattice Radiant开发环境进行编程，支持Verilog和VHDL硬件描述语言，并提供丰富的IP核和设计工具支持，简化了开发流程并提高了设计效率。
LCMXO2280C-M-EVN广泛应用于多个领域，包括工业控制、通信设备、消费电子、汽车电子和测试测量仪器等。具体应用包括但不限于以下几种：
1. 接口桥接：由于其多电压I/O支持和灵活的可编程性，该器件常用于实现不同接口标准之间的转换，如将LVDS接口转换为CMOS接口。
2. 控制逻辑：在工业自动化和嵌入式系统中，LCMXO2280C-M-EVN可用于实现复杂的控制逻辑，提高系统的灵活性和可维护性。
3. 协议转换：该器件可用于实现不同通信协议之间的转换，例如UART到SPI或I2C的转换，适用于各种嵌入式系统的通信需求。
4. 时钟管理：内置的锁相环（PLL）使其非常适合用于时钟合成、频率倍频或分频以及时钟去歪斜处理，确保系统时钟的稳定性和同步性。
5. 安全存储：用户闪存（UFM）可用于存储敏感数据或固件，同时其安全特性可防止未经授权的访问，适用于需要数据保护的应用场景。
LCMXO2-1200HC-4T100C
LCMXO2-7000HE-6T144C
