型号：LCL-T67C
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：110A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：440A
　　功耗PD：200W（Tc=25℃）
　　导通电阻RDS(on)：min 1.3mΩ，typ 1.6mΩ（@VGS=10V, ID=30A）
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V（@ID=250μA）
　　输入电容Ciss：约5200pF（@VDS=25V）
　　输出电容Coss：约1800pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间trr：约35ns
　　工作结温范围TJ：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

LCL-T67C采用先进的沟槽型MOSFET结构设计，使其在低电压大电流应用场景中表现出优异的导通性能。其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V且ID=30A条件下，典型值仅为1.6mΩ，最大值也不超过1.9mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。该特性特别适用于高电流密度的同步整流、电池保护板和大功率开关电源中，有助于减少发热并提升系统可靠性。
　　该器件具备出色的开关特性，输入电容和输出电容经过优化，在高频开关应用中能够有效降低开关损耗。其栅极电荷Qg较低，使得驱动电路设计更加简便，同时减少了驱动功耗。此外，LCL-T67C具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达110A（在壳温25℃条件下），短时脉冲电流更高达440A，适用于瞬态负载变化剧烈的应用场景，如电机启动或电源浪涌保护。
　　热稳定性方面，LCL-T67C采用高导热材料封装，TO-220封装形式具备良好的散热能力，可通过外接散热片进一步提升散热效果。其最大功耗可达200W（在壳温25℃下），结温范围宽达-55℃至+175℃，确保了在高温工业环境或恶劣工况下的长期稳定运行。器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在过压或瞬态能量冲击下保持安全工作，增强了系统的鲁棒性。
　　此外，LCL-T67C通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等，确保产品在批量应用中的一致性和耐用性。其符合RoHS标准，支持绿色环保生产流程，适用于消费类电子、工业控制、新能源汽车电子和通信电源等多个领域。

LCL-T67C广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其适合作为主控开关元件使用。常见应用包括大电流DC-DC降压或升压转换器，特别是在服务器电源、通信基站电源和工业电源模块中，其低导通电阻和高效率特性可显著提升系统能效。此外，在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电回路的主开关，提供低损耗的电流路径，并支持快速响应的过流保护机制。
　　在电机驱动领域，LCL-T67C可用于H桥或半桥拓扑结构中的功率开关，驱动直流电机或步进电机，适用于电动工具、家用电器和自动化设备等场景。由于其具备高脉冲电流承受能力，能够应对电机启动瞬间的大电流冲击，避免器件损坏。
　　该器件也常用于电源热插拔控制和负载开关电路中，作为主通断元件，实现对后级电路的软启动和过流保护。在大功率LED驱动电源中，LCL-T67C可用于PWM调光控制或恒流调节回路，确保亮度稳定且效率高。
　　此外，在逆变器、UPS不间断电源和太阳能控制器等新能源相关设备中，LCL-T67C凭借其高可靠性和优异的热性能，成为关键的功率开关选择。其工业级温度适应能力和坚固封装结构，使其在户外或高温环境中依然表现稳定，适合长期连续运行的应用需求。

IRF1404ZPBF
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