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LC823331A-LR-E 发布时间 时间:2025/9/20 17:07:06 查看 阅读:7

LC823331A-LR-E是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款用于LED照明应用的高能效、电流模式控制的离线式开关稳压器控制器。该器件专为反激式转换器拓扑结构设计,支持准谐振(Quasi-Resonant, QR)工作模式,能够实现高效率和低电磁干扰(EMI)。LC823331A-LR-E集成了多种保护功能,包括过载保护(OLP)、过电压保护(OVP)、过温保护(OTP)以及前沿消隐(Leading Edge Blanking, LEB),确保系统在各种异常条件下安全可靠运行。该芯片适用于需要高功率因数、低总谐波失真(THD)和高效率的离线LED驱动电源,特别适合用于中高功率LED照明应用,如LED路灯、工业照明、商业照明和户外灯具等。其小型封装和高度集成的设计有助于减少外部元件数量,降低系统成本,并提高整体可靠性。

参数

类型:LED驱动控制器
  拓扑结构:反激式(Flyback)
  工作模式:准谐振(QR)
  启动电压:约16V
  工作电压范围:典型10.5V至25V
  最大占空比:约90%
  开关频率:可变,取决于输入电压和负载条件
  电流检测方式:峰值电流模式控制
  电流检测阈值:典型1.0V
  待机电流:低于1mA
  供电电流(运行状态):约2.5mA
  内置高压启动电路:支持直接连接交流线路
  封装形式:SOP-8
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  引脚配置:8引脚,带裸露焊盘以增强散热
  保护功能:过载保护(OLP)、过电压保护(OVP)、过温保护(OTP)、前沿消隐(LEB)
  功率因数校正(PFC):支持高功率因数(>0.9)
  总谐波失真(THD):低THD(<10% 在满载时)

特性

LC823331A-LR-E具备先进的准谐振控制技术,能够在MOSFET漏源电压最低点时开启开关,显著降低开关损耗,从而提升整体转换效率并减少电磁干扰(EMI)。该芯片采用电流模式控制架构,提供快速的瞬态响应和良好的负载调节能力,确保输出电流稳定,满足LED照明对恒流输出的严格要求。其内置高压启动电路允许芯片直接从交流输入线路上电启动,无需额外的辅助绕组或外部启动电阻,简化了电源设计并提高了系统可靠性。
  该器件集成了全面的保护机制,包括周期级的过流保护(OCP)、过电压保护(OVP)、过温保护(OTP)以及自动恢复模式下的过载保护(OLP),有效防止系统在异常工况下损坏。前沿消隐(LEB)功能可有效抑制电流检测信号中的尖峰噪声,避免误触发保护或控制不稳定。此外,LC823331A-LR-E还具备频率折叠(Frequency Foldback)功能,在轻载或空载条件下自动降低开关频率,以维持高效率并降低待机功耗,符合国际节能标准如Energy Star和IEC 61000-3-2。
  芯片设计注重EMI性能优化,通过可编程的软启动、谷底锁定机制和抖频技术(如有)来平滑开关波形,减少高频噪声辐射。其SOP-8封装不仅节省PCB空间,还通过底部裸露焊盘实现良好的热传导,适用于紧凑型LED驱动电源设计。LC823331A-LR-E支持宽输入电压范围,兼容全球通用交流电网(85VAC至265VAC),适用于多种地区和应用场景。整体而言,该芯片以其高集成度、高效率、高可靠性和优异的保护性能,成为中高端LED照明驱动电源的理想选择。

应用

LC823331A-LR-E广泛应用于各类中高功率LED照明系统中,尤其适用于需要高效率、高功率因数和低电磁干扰的离线式LED驱动电源。典型应用包括LED路灯、隧道灯、工业厂房照明、商业照明(如筒灯、面板灯)、户外投光灯和高棚灯等。由于其支持准谐振反激拓扑,能够在全电压输入范围内实现高效能量转换,因此非常适合用于替代传统高压钠灯或金卤灯的LED照明升级项目。
  该芯片也适用于需要符合严格能效标准的照明产品,例如满足欧盟ErP指令、美国Energy Star或中国CCC认证要求的LED灯具。在智能照明系统中,LC823331A-LR-E可与调光电路(如TRIAC调光、0-10V调光或PWM调光)配合使用,实现亮度调节功能,同时保持良好的调光线性度和无闪烁表现。此外,其稳定的恒流输出特性使其适用于对光质量要求较高的场所,如商场、医院、学校等环境。
  由于其高集成度和较少的外围元件需求,LC823331A-LR-E也适合用于追求小型化、高可靠性的嵌入式LED电源模块设计。在恶劣环境下的长期运行中,其多重保护机制和宽温工作范围确保了系统的稳定性和寿命,适用于高温、高湿或电压波动较大的工业与户外场景。

替代型号

NCL30160
  NCL30170
  LNK60xx系列(如LNK6077)

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