LC665312A-4K76是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的高效率、低功耗的同步降压型DC-DC转换器芯片,广泛应用于需要高效电源管理解决方案的便携式设备和嵌入式系统中。该器件集成了主开关管和同步整流管,采用电流模式控制架构,能够在宽输入电压范围内稳定工作,提供精确的输出电压调节。LC665312A-4K76特别适用于电池供电设备,如智能手机、平板电脑、无线传感器网络节点以及各类物联网终端设备。其封装形式为小型化的WDFN或DFN封装,有助于节省PCB空间,满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。此外,该芯片具备多种保护机制,包括过流保护、过温保护和短路保护,确保在异常工作条件下仍能安全运行。通过外部电阻分压器可灵活设定输出电压,同时支持轻载条件下的节能模式,显著提升整体能效表现。
型号:LC665312A-4K76
制造商:ON Semiconductor (安森美)
拓扑结构:同步降压(Buck)
输入电压范围:2.7V 至 5.5V
输出电压范围:0.8V 至 3.6V(可调)
最大输出电流:1.2A
开关频率:1.8MHz
工作模式:PWM/PFM自动切换
反馈参考电压:0.6V ± 2%
静态电流:30μA(典型值)
关断电流:<1μA
占空比范围:0% 至 100%
封装类型:WDFN-6L 或 DFN-6L
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚数量:6
集成MOSFET:内置上下管同步整流
控制方式:电流模式控制
软启动功能:内置1ms软启动
保护功能:过流保护、过温保护、短路保护
LC665312A-4K76采用先进的电流模式控制架构,具备快速瞬态响应能力和良好的环路稳定性。该控制方式通过实时监测电感电流来实现精确的占空比调节,有效提升了负载变化时的输出电压稳定性。芯片内部集成了低导通电阻的P沟道和N沟道MOSFET作为主开关和同步整流开关,大幅降低了导通损耗,提高了整体转换效率,尤其是在中高负载条件下表现优异。其高达1.8MHz的固定开关频率允许使用小型化的外部电感和陶瓷电容,从而减小整体解决方案尺寸,同时避免干扰AM广播频段等敏感频率区域。
该器件支持PWM和PFM两种工作模式的自动切换。在重载或中等负载条件下,系统以PWM模式运行,保持恒定的开关频率和稳定的输出纹波;而在轻载或待机状态下,自动进入PFM模式,显著降低开关活动和静态功耗,延长电池使用寿命。这种自适应模式切换机制使得LC665312A-4K76在全负载范围内均能保持高效率,非常适合对能效要求严苛的便携式应用。
LC665312A-4K76具备完善的保护功能,包括逐周期过流保护(OCP)、输出短路保护以及热关断保护(TSD)。当芯片结温超过安全阈值时,热保护电路会自动关闭输出,防止器件损坏,待温度下降后自动恢复工作。此外,芯片还内置了软启动电路,限制启动过程中的浪涌电流,避免输入电压跌落影响系统其他部分。其使能(EN)引脚支持外部逻辑控制,便于实现电源 sequencing 和低功耗待机管理。所有这些特性共同确保了电源系统的可靠性、安全性和长期稳定性。
LC665312A-4K76主要面向高集成度、低功耗的便携式电子设备电源管理需求。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的辅助电源轨供电,例如为摄像头模块、传感器单元或射频前端提供稳定的低压电源。在物联网(IoT)设备中,如智能穿戴设备、无线传感器节点和蓝牙低功耗(BLE)模块,该芯片凭借其高效率和小尺寸优势,成为理想的电源解决方案。此外,它也适用于工业手持设备、便携式医疗仪器(如血糖仪、脉搏血氧仪)以及消费类电子产品中的微控制器(MCU)、DSP或FPGA的核电压供电。
在电池管理系统中,LC665312A-4K76可用于将单节锂离子电池(标称3.7V)或两节碱性电池(3V)稳压至系统所需的1.8V、2.5V或3.3V等标准电压等级。由于其宽输入电压范围和低静态电流特性,在电池电量逐渐下降的过程中仍能维持高效工作,最大限度地延长设备续航时间。在噪声敏感的应用中,其高开关频率和低输出纹波特性有助于减少对模拟电路(如音频放大器、ADC/DAC)的干扰。
该芯片还可用于嵌入式主板上的分布式电源架构,作为POL(Point-of-Load)转换器为特定功能模块独立供电,提高系统整体的电源隔离性和抗干扰能力。其紧凑的DFN封装也使其适用于空间受限的高密度PCB布局,是现代小型化电子产品中不可或缺的核心电源管理器件之一。
NCP665312A-4K76
MP2315DJ-LF-Z
TPS62231DBVT