类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：12V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：4.8A
　　脉冲漏极电流（Idm）：19.2A
　　导通电阻Rds(on)：12mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻Rds(on)：16mΩ @ Vgs=2.5V
　　阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容（Ciss）：450pF @ Vds=6V
　　开启延迟时间（td(on)）：4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：10ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-23

LC3517BSL-12采用高性能沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使其在大电流应用中能够显著降低功耗和发热，提高整体系统效率。其Rds(on)仅为12mΩ（在Vgs=4.5V条件下），意味着在通过较大负载电流时仍能保持较低的压降和能量损耗，这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。
　　该器件具有快速的开关响应能力，开启和关断延迟时间分别仅为4ns和10ns，确保在高频开关电源或PWM控制应用中表现出色，有效减少开关损耗并提升动态响应性能。同时，其输入电容仅为450pF左右，降低了栅极驱动所需的能量，使它能够与低压逻辑信号（如3.3V或2.5V MCU输出）直接接口，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
　　LC3517BSL-12的阈值电压范围为0.6V至1.2V，属于典型的低阈值电压MOSFET，能够在较低的栅极驱动电压下完全导通，适用于由锂电池直接驱动的应用场合。这种特性特别适合用于手持设备中的负载开关控制，例如显示屏背光开关、传感器电源管理模块等。
　　该器件还具备良好的热稳定性和过载承受能力，能够在高温环境下持续工作而不发生性能劣化。SOT-23封装虽然体积小巧，但经过优化设计后具备一定的散热能力，配合合理的PCB布局（如增加铜箔面积）可进一步提升其功率处理能力。
　　此外，LC3517BSL-12内部结构具有一定的抗静电（ESD）能力和抗雪崩击穿能力，提升了在复杂电磁环境下的运行可靠性。其符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺，适用于自动化大规模生产。综合来看，LC3517BSL-12是一款集高性能、小尺寸和高可靠性于一体的N沟道MOSFET，适用于对空间和能效有严格要求的现代电子系统。

LC3517BSL-12因其低导通电阻、小封装尺寸和良好的开关特性，被广泛应用于多种低电压、中等电流的功率控制场景。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的模块供电控制，通过MCU GPIO信号即可实现对外设（如摄像头、Wi-Fi模块、传感器）的上电和断电管理，达到节能目的。
　　在直流-直流（DC-DC）转换器电路中，LC3517BSL-12常作为同步整流管或低端开关管使用，特别是在Buck降压电路中，其低Rds(on)可显著降低传导损耗，提高转换效率。此外，它也适用于锂离子电池充电管理电路中的充放电通路控制，保障电池安全运行。
　　该器件还可用于LED驱动电路，作为恒流源的开关元件，实现亮度调节或闪烁控制。在电机驱动应用中，尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，LC3517BSL-12可用于构建半桥结构，完成方向切换和启停控制。
　　由于其具备良好的瞬态响应能力，LC3517BSL-12也被用于热插拔电路和负载切换电路中，防止电流冲击对系统造成影响。在通信模块、IoT终端节点和智能家居控制板中，该MOSFET常用于隔离不同功能单元的供电路径，实现按需供电策略。
　　此外，LC3517BSL-12的小型化封装使其成为高密度印刷电路板（PCB）设计的理想选择，尤其适用于空间受限的应用场景。无论是消费类电子产品还是工业控制系统，只要涉及低压、中小功率的开关控制需求，LC3517BSL-12都能提供稳定可靠的解决方案。

SI2302-DS, AOD3204, FDMN7618, DMG2302U