型号：LC3517BML-15J
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压(VDS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：5.4A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：20A
　　导通电阻(RDS(on))：15mΩ @ VGS=10V, ID=2.7A
　　导通电阻(RDS(on))：18mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.7A
　　栅源阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷(Qg)：8nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：400pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：未集成体二极管或快速恢复型
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　功耗(PD)：1W @ 25°C

LC3517BML-15J采用先进的沟槽型MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻，典型值仅为15mΩ（在VGS=10V条件下），这显著降低了在大电流应用中的导通损耗，提高了电源系统的整体能效。其低RDS(on)特性特别适合用于电池供电设备中的高效开关电路，如移动电源、智能手表、TWS耳机等对功耗敏感的产品。该器件在4.5V的栅极驱动电压下仍能保持18mΩ的低导通电阻，表明其具备良好的低压驱动能力，兼容3.3V或5V逻辑电平控制，无需额外的电平转换电路即可直接由微控制器或电源管理IC驱动。
　　该MOSFET具有优异的开关性能，输入电容低至400pF，在高频开关应用中可有效降低驱动功率需求，提升开关速度，减少开关过渡过程中的能量损耗。其栅极电荷Qg仅为8nC，意味着驱动电路所需提供的电荷量较小，有利于简化驱动设计并提高系统响应速度。此外，器件的栅源阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保在低电压启动时也能可靠导通，避免因阈值过高导致的开启失败问题。
　　LC3517BML-15J采用SOT-23小尺寸封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，尤其适用于空间受限的便携式电子产品。尽管封装尺寸小，但其热设计经过优化，能够在1W的最大功耗下稳定运行，配合合理的PCB铜箔散热设计可进一步提升散热能力。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境温度下长期稳定工作，适用于工业级和汽车电子外围应用。此外，该产品符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品环保标准。

LC3517BML-15J广泛应用于各类中小功率开关和电源管理系统中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关和电源通断控制，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的电池隔离与上电时序管理。由于其低导通电阻和快速响应特性，该器件也常用于同步整流电路中，替代传统二极管以降低压降和发热，提升DC-DC转换器的转换效率，尤其是在降压（Buck）和升压（Boost）拓扑结构中表现优异。
　　在电机驱动和继电器驱动电路中，LC3517BML-15J可作为低端开关使用，控制直流电机或电磁阀的通断，其高电流承载能力和快速开关特性有助于减少驱动延迟和能量损耗。此外，该MOSFET还可用于LED驱动电路中的恒流控制开关，实现精确的亮度调节功能。在电池管理系统（BMS）中，可用于充放电通路的开关控制，配合保护IC实现过流、短路等异常状态下的快速切断。
　　由于其SOT-23封装的小型化优势，LC3517BML-15J特别适合用于空间紧凑的消费类电子产品，如可穿戴设备、智能家居传感器节点、无线模块等。同时，其稳定的电气性能和宽温工作范围也使其适用于工业控制板、通信模块和电源适配器中的辅助电源开关电路。总之，该器件凭借其高性能与小尺寸，在多种需要高效、可靠功率开关的场景中发挥着重要作用。

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　　 "SI2302DDS-T1-E3",
　　 "AO3400",
　　 "AP2302GN",
　　 "FDMC86282",
　　 "TPSMB10H"
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