LBZX84C5V1T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装(SMD)齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件采用 SOT-23 封装,适用于低功耗、高精度的电子电路设计。LBZX84C5V1T1G 的标称齐纳电压为 5.1V,适合用于便携式设备、电源管理模块、电池供电系统等应用场景。
类型:齐纳二极管
封装类型:SOT-23
标称齐纳电压:5.1V
最大齐纳电流:100mA
最大耗散功率:300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
最大反向漏电流:100nA(@ VR=1V)
测试电流:5mA
LBZX84C5V1T1G 齐纳二极管具有多个显著的电气和机械特性,使其在多种电子系统中具备优异的性能表现。
首先,该器件采用 SOT-23 小型封装,适合高密度 PCB 布局,特别适用于空间受限的便携式电子设备。其封装材料符合 RoHS 标准,支持无铅焊接工艺,满足现代电子产品对环保的要求。
其次,LBZX84C5V1T1G 的标称齐纳电压为 5.1V,具有较低的电压容差(通常为 ±1%),确保在精密电压参考和稳压应用中提供稳定的电压基准。该器件在额定测试电流(5mA)下具有良好的动态阻抗(Zzt),有助于减少电压波动并提高稳压精度。
此外,该齐纳二极管具备较高的可靠性,能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作,适用于工业级和汽车级电子系统。其最大耗散功率为 300mW,可在中等功率条件下有效工作,同时具备较低的反向漏电流(最大 100nA @ VR=1V),减少了待机状态下的功耗。
在电气保护方面,LBZX84C5V1T1G 可用于钳位电压、保护敏感的电子元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压的损害。其快速响应特性和良好的热稳定性使其在电源管理和信号调节电路中表现出色。
LBZX84C5V1T1G 齐纳二极管广泛应用于多个电子领域。在便携式设备中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,该器件可作为电压参考源,用于 ADC/DAC 转换器、电源监测电路和电池电压检测系统。
在电源管理系统中,LBZX84C5V1T1G 可用于构建低功耗稳压电路,为 MCU、传感器和其他数字 IC 提供稳定的参考电压。它也可用于调节开关电源(SMPS)中的反馈电压,以提高电源效率和稳定性。
此外,该器件在汽车电子系统中也有广泛应用,例如车载信息娱乐系统、车身控制模块和电池管理系统。其宽工作温度范围和高可靠性使其能够适应严苛的汽车环境。
在工业自动化和仪表系统中,LBZX84C5V1T1G 可用于构建高精度电压基准源,确保测量和控制电路的稳定性。它也可用于 ESD 保护电路,提高系统的抗干扰能力。
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