晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流：100 mA
　　最大集电极-发射极电压：30 V
　　最大基极电流：5 mA
　　最大功耗：300 mW
　　增益带宽积：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据档位不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

LBZX84C18T1G 晶体管具备一系列优良的电气和机械特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，其高电流增益（hFE）范围为 110 至 800，提供了良好的信号放大能力，适合用于低频放大电路。此外，该晶体管具有较高的频率响应能力，增益带宽积达到 100 MHz，使其在中高频应用中也能保持良好的性能。
　　该晶体管采用 SOT-23 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 布局，并且具备良好的散热性能。其最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，适用于中低功率的开关和放大应用。
　　LBZX84C18T1G 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具有良好的温度稳定性和可靠性，适用于各种恶劣环境条件下的电子设备。该晶体管还具备较低的饱和压降（VCE(sat)），在开关状态下功耗较低，有助于提高系统的能效。
　　另外，该晶体管的制造工艺成熟，质量稳定，符合 RoHS 标准，适合大规模生产和环保要求较高的应用场景。

LBZX84C18T1G 主要用于低功率放大器和开关电路。它常见于音频放大器的前置放大级、数字逻辑电路中的电平转换以及小型继电器或 LED 的驱动电路。在消费电子产品中，如手机、耳机放大器、遥控器和玩具中，该晶体管可用于信号放大和控制功能。
　　在工业控制领域，LBZX84C18T1G 可用于传感器信号调理、继电器驱动和逻辑控制电路。其高可靠性和良好的温度适应性使其适用于自动化设备、测量仪器和电源管理系统。
　　此外，该晶体管也广泛用于通信设备中的射频信号放大和调制解调电路。其 100 MHz 的增益带宽积使其适用于低频至中频的模拟信号处理。
　　由于其 SOT-23 小型封装，LBZX84C18T1G 也非常适合用于便携式电子设备和嵌入式系统，例如 GPS 设备、智能穿戴设备和无线传感器网络节点。

MMBT3904, BC847, 2N3904, PN2222A