类型：NPN晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大基极-发射极电压（VEBO）：5 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据档位不同）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

LBZX84C15VLT1 是一款高性能的NPN晶体管，具有优异的线性放大特性和快速开关能力。其主要特点包括较高的电流增益（hFE），可以在不同的工作条件下提供稳定的放大性能。此外，该晶体管的过渡频率（fT）高达100 MHz，使其适用于高频应用，例如射频（RF）信号放大和高速开关电路。
　　该晶体管的封装采用小型SOT-23封装，适用于表面贴装技术（SMT），非常适合用于高密度PCB设计。SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的热性能和机械稳定性，能够在严苛的环境条件下可靠工作。
　　LBZX84C15VLT1 的最大集电极电流为100 mA，集电极-发射极耐压为30 V，使其适用于中低功率的放大和开关电路。其低饱和压降（VCE(sat)）确保在开关状态下功耗最小，提高整体系统效率。此外，该晶体管的基极-发射极电压（VEBO）为5 V，需注意防止过压损坏。
　　在实际应用中，LBZX84C15VLT1 常被用于模拟放大器、数字开关、逻辑电平转换、继电器驱动、LED驱动以及传感器信号调理等场景。由于其广泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），该晶体管也适用于工业级和汽车电子应用。

LBZX84C15VLT1 被广泛应用于各种电子电路中。在模拟电路中，它常用作音频放大器、电压放大器和信号调理电路中的增益元件。在数字电路中，它用于构建逻辑门、缓冲器和驱动电路。此外，该晶体管还常用于继电器、LED和小型电机的开关控制电路中，提供可靠的电流放大功能。
　　在消费电子产品中，LBZX84C15VLT1 常用于电源管理、信号放大和开关控制。在工业自动化系统中，该晶体管可用于传感器信号处理、执行器驱动和数据采集模块。在通信设备中，它可以作为射频信号放大器或开关元件，适用于无线通信模块和数据传输设备。
　　此外，LBZX84C15VLT1 还常用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载娱乐系统和车载充电器等，满足汽车电子对可靠性和稳定性的高要求。

BC847 NPN, 2N3904, 2N2222A, MMBT3904, PN2222A