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LBZX84B2V7LT1G 发布时间 时间:2025/8/13 21:23:07 查看 阅读:8

LBZX84B2V7LT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装(SOT-23 封装)齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和电压调节应用。该器件具有精确的电压调节能力和较低的动态阻抗,适用于需要稳定电压的电路中。该器件采用环保材料制造,符合 RoHS 标准,适用于消费类电子、工业控制和便携式设备等应用场景。

参数

齐纳电压:2.7V(标称值)
  齐纳电流:5 mA(测试电流)
  最大耗散功率:300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23(SMD)
  最大反向漏电流:100 nA(在 Vr=1V 时)
  动态阻抗:150Ω(最大)
  电压容差:±2%(B 系列)

特性

LBZX84B2V7LT1G 具有高精度的齐纳电压调节能力,其 ±2% 的容差确保了在关键应用中的电压稳定性。该器件的动态阻抗较低,有助于在负载变化时保持稳定的输出电压。此外,其 SOT-23 封装形式使其适用于高密度 PCB 布局,同时具备良好的热性能和机械稳定性。齐纳二极管的工作温度范围较宽,从 -55°C 到 +150°C,适合在恶劣环境条件下使用。该器件还具备较低的反向漏电流,在低电压应用中可有效减少功耗。此外,LBZX84B2V7LT1G 采用无铅封装,符合 RoHS 和 WEEE 环保标准,支持绿色电子制造需求。
  在电气特性方面,LBZX84B2V7LT1G 的最大耗散功率为 300 mW,使其能够在中等功率应用中稳定工作。其测试电流为 5 mA,确保在标准工作条件下提供准确的电压参考。动态阻抗最大为 150Ω,这有助于减小输出电压的波动,提高系统的整体稳定性。齐纳二极管的封装形式为 SOT-23,是一种常用的表面贴装封装,便于自动化生产和 PCB 布局优化。

应用

LBZX84B2V7LT1G 主要用于需要精确电压参考的电路设计中,例如电源管理电路、电压调节器、ADC 和 DAC 的参考电压源、电池供电设备的电压监控电路等。在便携式设备中,该器件可用于提供稳定的参考电压以确保系统正常运行。在工业控制系统中,它可以作为基准电压源用于传感器信号调理和电压检测。此外,该器件也适用于通信设备、测试仪器和消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。由于其良好的温度特性和封装形式,LBZX84B2V7LT1G 在高可靠性应用中也具有广泛的适用性。

替代型号

MMBZ5227B, BZX84B-2V7, ZMM2V7, MMSZ5227B

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