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LBZX84B2V0LT1G 发布时间 时间:2025/8/13 14:51:22 查看 阅读:21

LBZX84B2V0LT1G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款高精度、低功耗的电压基准二极管,属于Zener二极管系列。该器件设计用于需要稳定参考电压的精密模拟电路中,提供精确的电压调节性能。LBZX84B2V0LT1G 采用SOT-23(TSOP)封装,适合用于便携式设备、电源管理系统、传感器接口、工业控制系统等应用场景。其额定齐纳电压为2.0V,并具备低动态阻抗和良好的温度稳定性,适用于高精度电压参考需求。

参数

类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压:2.0V
  最大齐纳电流:20mA
  最大功率耗散:300mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-65°C ~ 150°C
  封装类型:SOT-23(TSOP)
  最大反向漏电流:100nA(@ VR=1V)
  动态阻抗(Zzt):150Ω(典型值)
  温度系数:±100ppm/°C(典型)

特性

LBZX84B2V0LT1G 作为一款精密齐纳二极管,具备多项优良特性。首先,其齐纳电压精度高,标称值为2.0V,在工作电流范围内能保持稳定的电压输出,适用于对参考电压精度要求较高的电路设计。
  其次,该器件具有较低的动态阻抗(Zzt),典型值为150Ω,有助于减小电压波动,提高电压稳定性能。这对于精密放大器、模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)等应用尤为重要。
  此外,LBZX84B2V0LT1G 的温度系数较低,典型值为±100ppm/°C,意味着其齐纳电压随温度变化的程度非常小,确保了在不同环境温度下的电压稳定性。该特性使其非常适合用于工业控制、测量仪器和传感器等对温度漂移敏感的应用场景。
  该器件的最大齐纳电流为20mA,最大功率耗散为300mW,具备良好的功耗控制能力,适用于低功耗系统设计。同时,SOT-23封装形式使其具备较小的占板面积,适合用于空间受限的便携式电子产品中。
  LBZX84B2V0LT1G 的最大反向漏电流为100nA(@ VR=1V),具有较低的泄漏电流,有助于减少静态功耗和提高系统效率。该器件还具备较高的可靠性,适用于汽车电子、通信设备、医疗仪器等对稳定性要求较高的应用场合。

应用

LBZX84B2V0LT1G 适用于多种需要高精度电压基准的电子系统中。常见应用包括模拟电路中的参考电压源、ADC/DAC的基准电压、电源管理模块的电压校准、传感器信号调理电路中的基准点设置等。
  在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,LBZX84B2V0LT1G 可用于为电池管理系统、触摸屏控制器和音频放大器提供稳定的参考电压。
  在工业自动化和控制系统中,该器件可用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业传感器和测量仪器的电压参考源,确保测量精度和系统稳定性。
  此外,LBZX84B2V0LT1G 也广泛用于汽车电子系统中,如车载娱乐系统、发动机控制单元(ECU)和电池管理系统(BMS),提供高稳定性的电压参考以支持系统的可靠运行。

替代型号

LMV431, TL431, LM4040, MAX6001, LM385

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