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LBZT52C51T1G 发布时间 时间:2025/6/6 0:57:22 查看 阅读:4

LBZT52C51T1G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高频、高效能功率转换应用设计。该器件采用先进的封装工艺,能够提供卓越的开关性能和高电流承载能力。其主要应用于电源管理模块、DC-DC 转换器、无线充电设备以及各种需要高效能量传输的场景。
  该型号在设计上结合了低导通电阻和快速开关速度的特点,从而显著降低了功率损耗,并提升了整体系统效率。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:4A
  导通电阻:50mΩ
  栅极电荷:6nC
  开关频率范围:1MHz 至 10MHz
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃

特性

1. 基于 GaN 的 HEMT 技术提供了更低的导通电阻和更高的开关速度,适合高频应用。
  2. 内部集成保护电路以增强器件的稳定性和可靠性。
  3. 封装形式紧凑,适用于空间受限的设计环境。
  4. 极低的寄生电感使得 LBZT52C51T1G 在高频条件下仍能保持优异的性能。
  5. 高效的能量转换能力和低热阻设计,有助于减少散热需求。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. LED 驱动器
  4. 快速充电解决方案
  5. 无线充电发射端和接收端
  6. 汽车电子中的辅助电源模块
  7. 工业自动化设备中的高效功率控制单元

替代型号

LBG100R040KGA, GAN041-650WSA

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