时间：2025/6/6 0:57:22
阅读：22
LBZT52C51T1G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效能功率转换应用设计。该器件采用先进的封装工艺，能够提供卓越的开关性能和高电流承载能力。其主要应用于电源管理模块、DC-DC 转换器、无线充电设备以及各种需要高效能量传输的场景。
该型号在设计上结合了低导通电阻和快速开关速度的特点，从而显著降低了功率损耗，并提升了整体系统效率。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：4A
导通电阻：50mΩ
栅极电荷：6nC
开关频率范围：1MHz 至 10MHz
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
1. 基于 GaN 的 HEMT 技术提供了更低的导通电阻和更高的开关速度，适合高频应用。
2. 内部集成保护电路以增强器件的稳定性和可靠性。
3. 封装形式紧凑，适用于空间受限的设计环境。
4. 极低的寄生电感使得 LBZT52C51T1G 在高频条件下仍能保持优异的性能。
5. 高效的能量转换能力和低热阻设计，有助于减少散热需求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. LED 驱动器
4. 快速充电解决方案
5. 无线充电发射端和接收端
6. 汽车电子中的辅助电源模块
7. 工业自动化设备中的高效功率控制单元
LBG100R040KGA, GAN041-650WSA
