稳压值：4.7V
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123
　　最大正向电流：200mA
　　最大反向漏电流：100nA（在1MHz下）
　　动态阻抗：10Ω（典型值）
　　温度系数：±100ppm/°C

LBZT52C4V7T1G具备多项优异的电气和物理特性，使其适用于高精度和高稳定性的电路设计。首先，其低动态阻抗（典型值10Ω）确保在负载变化时仍能维持稳定的输出电压，从而提高电路的稳定性。其次，该稳压二极管的温度系数为±100ppm/°C，表明其电压稳定性受温度变化的影响较小，适合在宽温度范围内工作的应用。
　　此外，LBZT52C4V7T1G采用了SOD-123封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的热性能和机械强度。该器件的最大耗散功率为300mW，能够在中等功率应用中可靠运行。其反向漏电流极低（最大100nA），有助于减少电路中的静态功耗，提高整体能效。
　　该稳压二极管的响应速度快，适用于对电压变化敏感的系统，例如电源管理、电压参考、过压保护和稳压电路等。ON Semiconductor在制造过程中采用了严格的工艺控制，确保每颗器件的参数一致性，提高了产品的可靠性与可重复性。

LBZT52C4V7T1G广泛应用于各类电子设备和系统中，主要作为电压参考源和稳压元件。例如，在电源管理模块中，它可作为基准电压用于调节输出电压；在电池供电设备中，可用于提供稳定的参考信号，确保系统在电池电压波动时仍能正常运行。
　　此外，该器件也常用于仪表放大器、A/D转换器、传感器电路等需要高精度电压参考的场合。由于其良好的温度稳定性和低动态阻抗，LBZT52C4V7T1G也适合用于精密测量仪器、工业控制系统和通信设备中。
　　在汽车电子、消费类电子产品以及工业自动化设备中，LBZT52C4V7T1G也可作为过压保护元件，防止因电压异常而损坏敏感的电子元件。由于其表面贴装封装形式，特别适用于自动化装配工艺，提高生产效率和产品一致性。

BZX84-C4V7, MMSZ4684T1G, 1N4735A