LBZT52C30VT1G 是一款由ONSEMI(安森美半导体)制造的表面贴装稳压二极管,适用于需要稳定电压的电子电路中。该器件采用SOD-123封装,具有小尺寸、高稳定性和可靠性等特点,广泛用于便携式设备、电源管理系统和电压参考电路中。
类型:稳压二极管
标称电压:30V
容差:±5%
最大耗散功率:300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-123
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
最大反向电流:100nA(典型)
测试电流:1mA
LBZT52C30VT1G 是一款高精度稳压二极管,具有±5%的电压容差,确保输出电压的稳定性。该器件在1mA测试电流下的稳压性能优异,适用于对电压精度要求较高的电路。其SOD-123封装设计使其非常适合在空间受限的应用中使用,例如移动设备和小型电子产品。此外,LBZT52C30VT1G 具有良好的温度稳定性,能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠工作。其低反向漏电流(典型值为100nA)有助于减少电路中的静态功耗。该器件的高可靠性和小尺寸使其成为各种电子设备中稳压电路的理想选择。
LBZT52C30VT1G 主要用于需要30V稳压参考的电路中,例如电源管理系统、电池充电电路、电压调节模块和嵌入式系统中的稳压参考源。它也常用于模拟电路、放大器偏置电路、电压比较器参考源以及工业控制设备中的稳压保护电路。
1N4750A, BZV55-C30, MMSZ5250