LBZT52C11VT1G 是一种常见的表面贴装稳压二极管(Zener Diode),由ONSEMI(安森美半导体)制造。该器件主要用于提供一个稳定的参考电压,适用于各种电子电路中的电压调节、保护和参考电压源应用。该型号的标称齐纳电压为11V,典型容差为±5%,适用于需要中等功率稳压功能的电路设计。LBZT52C11VT1G 采用SOT-23封装,具有较小的体积和良好的热性能,适用于空间受限的PCB设计。
齐纳电压: 11V (标称值)
容差: ±5% (在额定测试电流下)
测试电流: 20mA
最大耗散功率: 300mW
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
封装类型: SOT-23
最大反向漏电流: 在10V下为100nA
最大齐纳阻抗: 10Ω
存储温度范围: -65°C 至 +150°C
LBZT52C11VT1G 稳压二极管具有多项优异的电气和物理特性,适合多种电子应用。其主要特性包括稳定的齐纳电压调节,确保在各种工作条件下提供一致的参考电压。该器件具有±5%的电压容差,在20mA的测试电流下保持较高的精度,适用于对电压稳定性要求较高的电路。SOT-23封装提供了紧凑的设计,便于在高密度PCB布局中使用,并且该封装具备良好的散热性能,有助于维持器件在较高功率条件下的稳定性。
该稳压二极管的最大耗散功率为300mW,可以在较宽的电流范围内提供稳定的电压输出。其工作温度范围为-55°C至+150°C,确保在恶劣环境条件下仍能正常运行。此外,LBZT52C11VT1G 的最大反向漏电流在10V时为100nA,具有较低的泄漏电流,减少了对电路性能的影响。该器件的最大齐纳阻抗为10Ω,有助于在负载变化时保持输出电压的稳定。
LBZT52C11VT1G 的设计确保了其在各种应用场景中的可靠性和耐用性。例如,在电源管理电路中,它可以作为基准电压源,用于调节输出电压或作为过压保护元件。其SOT-23封装形式也使其适用于自动化贴片工艺,提高了生产效率和焊接可靠性。
LBZT52C11VT1G 主要应用于需要稳定参考电压的电子电路中。它常用于电源管理电路,作为电压调节器或基准电压源。例如,在开关电源、线性稳压器和电池充电电路中,该器件可以提供稳定的11V参考电压,以确保系统正常运行。此外,它还可用于过压保护电路,防止电路因电压过高而损坏。
在模拟电路设计中,LBZT52C11VT1G 可作为比较器、运算放大器等器件的参考电压源,提高电路的精度和稳定性。在工业控制系统中,该器件可用于传感器信号调理电路,确保测量数据的准确性。此外,在消费类电子产品(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)中,由于其SOT-23封装的小型化优势,该稳压二极管也广泛用于各种便携式设备的电源管理模块。
汽车电子系统中,该器件可用于车载电源调节、LED照明控制和车载信息娱乐系统的电压参考电路。由于其宽工作温度范围和良好的热稳定性,特别适用于高温环境下的汽车应用。在通信设备中,如路由器、交换机和基站模块,LBZT52C11VT1G 也可用于电源管理、信号调节和保护电路。
BZX84C11LT1G, MMSZ5248B, 1N4742A