时间：2025/8/14 1:22:13
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LBZT52C11T1G 是一种表面贴装（SOT-23）封装的齐纳二极管，由ON Semiconductor生产。该器件主要用于电压参考和稳压应用，具有精确的击穿电压和低动态阻抗，适用于便携式设备、电源管理电路和电池供电系统等场景。LBZT52C11T1G的设计确保了在宽温度范围内稳定的工作性能，并具有良好的响应时间和可靠性。
类型：齐纳二极管
封装类型：SOT-23
最大耗散功率：300mW
齐纳电压：11V
齐纳电流：5mA
动态阻抗（Zzt）：150Ω
最大反向漏电流：100nA
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
LBZT52C11T1G 齐纳二极管具有多个显著特性，确保其在多种电子应用中的可靠性与稳定性。首先，该器件的击穿电压精确且稳定，标称值为11V，在5mA的测试电流下表现出优异的电压调节性能。这使其成为需要精确电压参考的电路设计中的理想选择。
其次，LBZT52C11T1G采用了低动态阻抗设计，典型值为150Ω，有助于减少因负载变化引起的电压波动，从而提高整体电路的稳压效果。这种特性在需要高精度电压调节的应用中尤为重要。
此外，该齐纳二极管的最大反向漏电流为100nA，在未击穿状态下对电路的影响极小，确保了电路的低功耗运行。这对于电池供电设备和低功耗系统来说是一个关键优势。
该器件的封装为SOT-23，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，同时具备良好的热稳定性和机械强度。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适合在各种环境条件下运行，适用于工业和汽车级应用。
最后，LBZT52C11T1G的额定功率为300mW，能够在相对较高的功率条件下稳定运行，进一步扩展了其适用范围。
LBZT52C11T1G广泛应用于需要电压参考和稳压功能的电子系统中。例如，在电源管理模块中，它可以作为电压基准源，为ADC、DAC或其他模拟电路提供稳定电压。在电池供电设备中，如智能手机、平板电脑和便携式仪器，该器件可用于监测电池电压并确保系统在安全电压范围内运行。
此外，该齐纳二极管也可用于保护电路中，防止过压损坏敏感的电子元件。在汽车电子系统中，它可用于稳定12V或24V车载电源，为ECU、传感器和其他控制单元提供可靠的参考电压。
由于其良好的温度稳定性和低漏电流特性，LBZT52C11T1G也适用于工业自动化、通信设备和测试仪器等高精度要求的领域。
BZT52C11-7-F (Diodes Inc), MMSZ5248B-11 (ON Semiconductor), SZ1SMA4315T1G (ON Semiconductor)
