时间：2025/8/13 22:07:48
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LBZT52B6V2T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的表面贴装（SMT）双极型晶体管（BJT）阵列。该器件包含两个匹配的 NPN 晶体管，设计用于需要良好匹配特性和低噪声性能的模拟电路应用。它采用 SOT-23 封装，适用于便携式设备、射频（RF）电路、放大器和混合电路设计。
类型：双极型晶体管（NPN）
配置：双晶体管阵列
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Pd）：300 mW
电流增益（hFE）：110 至 800（取决于测试条件）
频率响应（fT）：100 MHz（典型值）
封装类型：SOT-23
LBZT52B6V2T1G 的核心优势在于其两个 NPN 晶体管之间的高度匹配性，这使得它非常适合用于差分放大器、电流镜和高精度模拟电路设计。
该器件的 hFE 值范围广泛，能够在不同偏置条件下提供稳定的增益表现，适用于多种模拟电路设计需求。
其 SOT-23 小型封装形式使其非常适合用于高密度 PCB 布局，同时也降低了寄生电感和电容的影响，提高了高频性能。
该晶体管阵列还具有较高的可靠性，适用于工业级和消费级电子设备，满足多种环境下的稳定运行需求。
LBZT52B6V2T1G 主要用于高性能模拟电路设计，包括差分放大器、运算放大器前端、电流镜和有源负载电路。
其高频响应和低噪声特性使其非常适合用于射频（RF）电路，如低噪声放大器（LNA）、混频器和振荡器。
在音频放大器和前置放大电路中，该器件能够提供良好的信号增益和低失真特性。
由于其双晶体管结构的高度匹配性，LBZT52B6V2T1G 也常用于传感器接口电路、精密测量设备和模拟乘法器/除法器电路。
此外，它还广泛应用于通信设备、无线模块、便携式电子产品和测试仪器中。
BC847BDSX, MBT3946DS, 2N3904LT1G
