类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　增益（hFE）：110-800（根据不同的测试条件）
　　频率响应：250MHz（典型值）

LBZ84C7V5LT1G是一款高性能的NPN晶体管，具有良好的电流放大能力和高频响应特性。其SOT-23封装形式使其非常适合在高密度PCB设计中使用。该晶体管的增益范围较广，能够满足不同应用场景的需求。此外，LBZ84C7V5LT1G具有较低的饱和压降，能够在较高的频率下保持稳定的性能，适用于高频放大和快速开关应用。
　　该晶体管的热稳定性较好，能够在较宽的温度范围内正常工作。其封装材料符合RoHS标准，适用于环保要求较高的应用场合。LBZ84C7V5LT1G的可靠性较高，适合在要求稳定性和耐用性的工业和汽车应用中使用。

LBZ84C7V5LT1G广泛应用于多种电子设备中，主要包括以下几类应用：
　　1. **信号放大**：由于其良好的增益特性和高频响应，LBZ84C7V5LT1G常用于音频和射频信号放大电路中。
　　2. **开关应用**：在数字电路中，LBZ84C7V5LT1G可用于驱动负载，如继电器、LED和小型电机等。
　　3. **电源管理**：该晶体管可以用于电源管理电路中的稳压和调节功能。
　　4. **工业控制**：在工业自动化系统中，LBZ84C7V5LT1G可用于传感器信号处理和控制电路。
　　5. **汽车电子**：由于其宽工作温度范围和高可靠性，LBZ84C7V5LT1G适用于汽车电子系统中的各种控制和驱动应用。

2N3904, BC847, 2N2222