类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：6.6mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSON
　　功率耗散(Pd)：80W
　　阈值电压(Vgs(th))：2.3V ~ 4.0V

LBTP660Z4TZHG MOSFET 具备多项优异的电气和热性能，适用于高功率密度和高效能的电源设计。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为 6.6mΩ，在高电流应用中可显著降低导通损耗，提高系统效率。该特性对于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等应用尤为重要。
　　其次，该器件支持高达 60A 的连续漏极电流，具备较强的电流承载能力。同时，其最大漏源电压为 60V，能够在中高压应用中稳定工作，如电机驱动、电池管理系统（BMS）和电源适配器等。
　　此外，LBTP660Z4TZHG 采用 TSON 表面贴装封装，具有良好的热传导性能，有助于在高功耗应用中有效散热。这种封装形式也便于实现自动化贴片生产，提升制造效率和可靠性。
　　其栅源电压范围为 ±20V，支持广泛的应用环境，并具有一定的过压保护能力。阈值电压范围为 2.3V 至 4.0V，确保在不同控制信号下都能可靠导通。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和汽车级应用，具备良好的环境适应性和稳定性。

LBTP660Z4TZHG MOSFET 主要应用于需要高电流、高效率和高稳定性的电子系统中。
　　在电源管理领域，该器件常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，其低导通电阻和高电流能力可有效提升电源转换效率，降低发热损耗。
　　在电机控制方面，LBTP660Z4TZHG 可用于直流电机驱动、步进电机控制器和电子调速器（ESC），其高耐压和高电流能力使其在大功率电机应用中表现出色。
　　此外，该 MOSFET 还适用于电池管理系统（BMS），在充放电控制、电池保护电路中起到关键作用，确保电池组的安全运行。
　　在汽车电子中，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等应用，其宽工作温度范围和高可靠性满足汽车环境的严苛要求。
　　由于其封装形式适合表面贴装工艺，LBTP660Z4TZHG 也广泛用于通信设备、服务器电源、工业自动化控制系统和消费类电子产品中。

TPH6R206ND, CSD17579Q3A, SiSS76N10