时间：2025/8/13 9:58:42
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LBTN660Z4TZHG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理和功率转换应用而设计，具备低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于电源适配器、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。该封装采用 TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大漏极电流(ID)：60A
导通电阻(RDS(on))：14mΩ @ VGS=10V
栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
最大功耗(PD)：100W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
LBTN660Z4TZHG 具有极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为 14mΩ，这使得在高电流工作条件下，功率损耗显著降低，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具备优异的热稳定性，能够在高功率密度环境下稳定运行。其高耐压特性（60V VDS）使其适用于多种中高压功率转换场合。栅极驱动电压范围宽（通常在10V左右），确保快速开关和低导通损耗。TO-252封装不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，提高了生产效率。
该器件在设计上采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提升了器件的电流承载能力和开关速度，同时降低了寄生电容，从而减少了开关损耗。LBTN660Z4TZHG还具备良好的短路耐受能力，可在一定程度上抵御瞬态过载，提高系统的可靠性。
LBTN660Z4TZHG 广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器、电源管理模块、工业自动化设备和汽车电子系统等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率电源转换和控制的理想选择。在汽车电子中，该器件可应用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电动水泵等模块。此外，LBTN660Z4TZHG也可用于服务器电源、通信设备和消费类电子产品中的高效能电源设计。
LBTN660Z4TZHG的替代型号包括LBTN660Z4T4G、LBTN660Z4T4、IRF6665、FDP6660、SiS66604、NTMFS66601N
