类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：60V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（典型值3.8mΩ）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.3V至4.0V
　　最大工作温度：175°C
　　封装类型：SOP（表面贴装）

LBTN560Z4TZHG MOSFET具有多个关键特性，使其适用于现代电子设计。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。这对于高电流应用，如电源管理和电机控制尤为重要。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽式栅极技术，提高了开关性能并减少了开关损耗，使其能够在高频条件下稳定运行。此外，LBTN560Z4TZHG 还具有较高的热稳定性，能够在高温环境下工作而不会显著影响性能，这得益于其优化的封装设计和材料选择。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围较宽，允许在不同的控制条件下灵活使用。同时，其额定漏极电流高达60A，能够支持高功率负载的驱动需求。SOP封装不仅节省空间，还便于自动化生产和表面贴装工艺，适合现代电子设备的小型化和高密度设计需求。

LBTN560Z4TZHG MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、电动工具、汽车电子、工业自动化设备以及消费类电子产品。在电源管理方面，该器件可以用于高效能的开关电源（SMPS）设计，提供稳定的电压和电流输出。在DC-DC转换器中，LBTN560Z4TZHG 的低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率并减少热量产生。
　　在电动工具和汽车电子领域，这款MOSFET可用于电机控制和电池管理系统，确保高电流条件下的可靠性和稳定性。同时，其紧凑的SOP封装也使其成为消费类电子产品中理想的选择，例如笔记本电脑、智能手机和便携式储能设备等。

TK60A06K3 / STD60N60M2 / IRFZ44N