时间：2025/8/13 7:03:27
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LBSS84LT1G是一款由ON Semiconductor生产的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装形式。该器件适用于低电压和中等功率应用，具备良好的导通特性和快速开关性能，适合用于电源管理、负载开关和信号切换等场景。
类型：P沟道MOSFET
封装形式：SOT-23
最大漏极-源极电压(VDS)：-20V
最大栅极-源极电压(VGS)：±12V
最大连续漏极电流(ID)：-100mA（在VDS = -10V）
导通电阻(RDS(on))：最大值为4Ω（在VGS = -10V）
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-65°C至+150°C
LBSS84LT1G采用先进的TrenchFET技术，提供优异的导通性能和较低的导通损耗。该器件具有较高的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。此外，其小尺寸SOT-23封装使其非常适合用于空间受限的PCB设计。LBSS84LT1G还具备良好的抗静电能力，增强了器件在复杂工作环境中的耐用性。
其栅极驱动电压范围较宽，可在-10V至0V之间正常工作，便于与多种驱动电路兼容。该MOSFET的开关速度较快，能够有效减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，其内部结构优化设计降低了寄生电容，有助于提升高频应用中的性能。
LBSS84LT1G常用于便携式电子设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。它也可作为负载开关或信号开关，用于控制低功率电路的通断。此外，该器件适用于电池供电系统、DC-DC转换器、LED驱动电路以及各种低电压控制应用。
Si2301DS, FDN302P, BSS84
