类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-100mA
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为2.8Ω @ VGS = -4.5V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

LBSS84EWT1G MOSFET具有多个关键特性，使其在多种低压应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）特性有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。在VGS为-4.5V时，RDS(on)最大值为2.8Ω，这在小型MOSFET中属于较低水平。
　　其次，该器件支持-20V的漏源电压（VDS），能够承受一定的电压波动，适用于电池供电设备和低压电源管理系统。栅源电压限制为±12V，确保在安全范围内操作，防止栅极氧化层击穿。
　　此外，LBSS84EWT1G采用先进的Trench沟槽技术，优化了器件的热性能和开关特性，从而在高频开关应用中保持良好的稳定性和效率。该器件的连续漏极电流额定值为-100mA，适合用于小型开关和负载控制应用。
　　最后，SOT-23（SC-59）封装形式提供了紧凑的占位面积，非常适合空间受限的设计。同时，该封装有助于良好的散热性能，使器件在较高负载下仍能保持稳定运行。

LBSS84EWT1G广泛应用于多个领域，包括但不限于低压电源管理系统、电池供电设备、便携式电子产品、负载开关和信号路由电路。
　　在电池供电设备中，该MOSFET可用于高效能的电源管理，例如在便携式医疗设备、智能穿戴设备和无线传感器中控制电源流向。由于其低导通电阻，可以有效减少能量损耗，延长设备的续航时间。
　　在电源管理系统中，LBSS84EWT1G可用于负载开关设计，以实现对不同子系统的电源控制。这在需要动态电源管理的嵌入式系统中尤为重要。
　　此外，该器件也适用于信号路由和模拟开关应用，例如在音频信号处理或数据采集系统中作为开关元件使用。其快速的开关特性确保了信号的完整性，同时降低了信号路径中的损耗。
　　对于工业自动化和消费电子市场，LBSS84EWT1G可以作为低功耗控制电路中的关键组件，用于驱动LED、小型继电器或其它低功耗负载。

Si2301DS, DMG2305UX-7, BSS84