类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：85mΩ（典型值，VGS = -4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.5V至-1.5V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TSOP-6（SC-89）
　　功率耗散（PD）：1.5W

LBSS84EDW1T1G具备多项优良特性，适用于高性能电源管理应用。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高系统效率并减少热量产生。该器件的85mΩ典型导通电阻在低电压应用中尤其具有优势，有助于提升整体能效。
　　其次，LBSS84EDW1T1G支持较高的栅极驱动电压（±12V），确保其在开关过程中能够快速切换，降低开关损耗。同时，其栅极阈值电压较低，通常在-0.5V至-1.5V之间，使得该MOSFET能够在较低的控制电压下正常工作，非常适合用于低压微控制器或数字电路驱动。
　　此外，该器件采用TSOP-6（SC-89）小型封装，节省空间，便于在紧凑型设计中使用。该封装还具有良好的热性能，有助于在高电流工作条件下维持稳定运行。
　　LBSS84EDW1T1G的可靠性较高，支持宽工作温度范围（-55°C至+150°C），适合在各种环境条件下运行。其结构设计也具备一定的抗静电能力和过热保护能力，增强了器件的稳定性和耐用性。

LBSS84EDW1T1G由于其高性能和小型化设计，广泛应用于多个领域。
　　在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该器件用于电源管理、负载开关和电池充电控制。其低导通电阻和低电压操作能力有助于延长设备的电池寿命。
　　在DC-DC转换器和同步整流器中，LBSS84EDW1T1G可用于高效能开关电路，提高能量转换效率，同时减小电路尺寸。
　　在工业控制系统中，该MOSFET可用于驱动继电器、传感器和执行器等低功耗外设，提供稳定可靠的开关控制。
　　此外，LBSS84EDW1T1G也可用于热插拔电路、电源多路复用器和负载保护电路中，确保系统在不同工作状态下的安全性和稳定性。

Si4435BDY-T1-GE3, IRML6401, FDC640P, AO4406A