时间：2025/8/13 1:27:28
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LBSS8402DW1T1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款双N沟道增强型MOSFET，采用SOT-363封装形式。该器件设计用于高效率、低电压和高频率开关应用，具备低导通电阻和快速开关特性。由于其紧凑的封装和高性能，LBSS8402DW1T1G广泛应用于便携式电子设备、电源管理、负载开关以及电池供电系统中。
类型：双N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：300mA（每个通道）
导通电阻(Rds(on))：2.8Ω @ Vgs=4.5V
阈值电压(Vgs(th))：0.65V ~ 1.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-363
LBSS8402DW1T1G具备多项优异特性，适合对空间和性能都有较高要求的应用场景。其双N沟道MOSFET结构可以在单个封装内实现两个独立的MOSFET开关，节省PCB空间并简化设计。该器件的低导通电阻（Rds(on)）为2.8Ω，在4.5V栅极驱动电压下可实现高效的电流传输，降低功耗并提高系统效率。
此外，LBSS8402DW1T1G的栅极驱动电压范围为±12V，确保在不同工作条件下稳定运行。其阈值电压范围为0.65V至1.5V，使得器件能够在较低的控制电压下工作，适用于低功耗应用。器件的封装形式为SOT-363，是一种小型表面贴装封装，适合自动化生产流程并提高装配效率。
LBSS8402DW1T1G广泛应用于多种电子系统中，特别是在空间受限和高效率要求的场合。常见的应用包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理模块，用于控制电池供电和负载切换。在电源管理系统中，该器件可用于DC-DC转换器、负载开关和电压调节电路，以提高能量转换效率。
Si2302DS, DMG2302U, FDMC8008, NDS355AN
