LBSS5330P3T1G是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的双极型晶体管,具有高性能和可靠性。这款晶体管采用先进的制造工艺,适用于多种电子设备和系统。LBSS5330P3T1G具有良好的电气性能和稳定性,广泛应用于电源管理、信号放大和开关控制等领域。
类型:双极型晶体管
制造商:ONSEMI
晶体管类型:NPN/PNP
最大集电极电流:100mA
最大集电极-发射极电压:30V
最大基极电流:5mA
最大功耗:300mW
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT-23
频率响应:100MHz
LBSS5330P3T1G是一款高性能的双极型晶体管,具有优异的电气性能和稳定性。该晶体管的最大集电极电流为100mA,最大集电极-发射极电压为30V,能够承受较高的电压和电流。最大基极电流为5mA,确保晶体管在正常工作范围内运行。最大功耗为300mW,适合在多种工作条件下使用。
该晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于各种严酷的环境条件。LBSS5330P3T1G采用SOT-23封装,体积小巧,便于集成在高密度电路中。频率响应为100MHz,使其在高频应用中表现出色。
晶体管的制造工艺先进,确保了其可靠性和稳定性。LBSS5330P3T1G的电气性能优异,适用于多种电子设备和系统。其双极型结构使其在信号放大和开关控制方面表现出色。
LBSS5330P3T1G广泛应用于电源管理、信号放大和开关控制等领域。由于其高性能和可靠性,LBSS5330P3T1G常用于消费电子、工业控制和通信设备等应用。该晶体管的高频响应特性使其在射频和微波电路中也有一定的应用。LBSS5330P3T1G的多功能性和稳定性使其成为多种电子系统中不可或缺的组件。
BC847 NXP
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