类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5.5A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻 RDS(on)：最大 24mΩ（在 VGS = 10V）
　　阈值电压 VGS(th)：1.1V ~ 2.5V
　　功耗（PD）：3.5W
　　封装：TSOP-6（SOT-23-6）

LBSS4350SZ4TZHG 具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），确保在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，提高系统效率。
　　其次，该 MOSFET 采用先进的沟槽式结构，优化了电流传导路径，增强了器件的热稳定性与可靠性。
　　此外，其高栅极击穿电压（±20V）使得该器件在高频开关应用中具有更强的抗干扰能力，降低了因过压导致损坏的风险。
　　该器件的阈值电压范围适中（1.1V ~ 2.5V），兼容多种驱动电路设计，包括微控制器输出直接驱动。
　　LBSS4350SZ4TZHG 还具有较高的瞬态电流承受能力，适合用于需要短时高负载的应用，如马达驱动和电池充电系统。
　　其封装形式为 TSOP-6（SOT-23-6），体积小巧，适合高密度 PCB 设计，且具备良好的散热性能。

该器件广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。常见应用包括：DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、便携式设备电源管理、马达驱动电路、电源分配系统等。
　　由于其高效率和小尺寸封装，LBSS4350SZ4TZHG 也常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机、电源适配器和 LED 驱动电路中。
　　此外，在工业控制系统和自动化设备中，该 MOSFET 可用于控制高功率负载，如继电器、传感器和执行器。

Si2302DS, IRML2803, BSS138K, FDMS3610