时间：2025/8/14 2:24:08
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LBSS139DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双通道 P 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 6 引脚 SC-70（SOT-363）封装，适用于低电压和低功耗应用。LBSS139DW1T1G 以其小型封装和高效的性能广泛应用于便携式电子设备、逻辑电平转换、负载开关和电池管理等场景。由于其 P 沟道结构，该 MOSFET 在栅极电压低于源极电压时导通，非常适合用于高边开关应用。
类型：P 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 (Vds)：20V
栅源电压 (Vgs)：±12V
漏极电流 (Id)：100mA（连续）
导通电阻 (Rds(on))：5Ω（典型值，Vgs = -4.5V）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：6-SC-70（SOT-363）
LBSS139DW1T1G MOSFET 具备多项优良特性，使其在低功耗和便携式设备中表现出色。首先，该器件具有低导通电阻，在栅极电压为 -4.5V 时，Rds(on) 典型值仅为 5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该 MOSFET 的最大漏源电压为 20V，能够在较低电压应用中提供良好的稳定性和耐久性。此外，其最大漏极电流为 100mA，适用于轻载开关和信号控制等应用。
LBSS139DW1T1G 采用双通道结构，两个独立的 P 沟道 MOSFET 集成在一个封装中，节省 PCB 空间，适合高密度电路设计。其 ±12V 的栅源电压容限提供了良好的抗静电和过压保护能力，适用于多种控制电路。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具有良好的热稳定性和环境适应能力，适合在各种工业和消费类应用中使用。其封装形式为 6-引脚 SC-70（SOT-363），具有小尺寸和表面贴装优势，便于自动化生产和高密度组装。
LBSS139DW1T1G 广泛应用于多种低电压和低功耗电子系统中。由于其双通道设计和小型封装，非常适合用于便携式设备中的电源管理、负载开关和电平转换电路。例如，在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件可用于控制不同电源域的开启和关闭，实现节能管理。
在电池供电系统中，LBSS139DW1T1G 可用于电池保护电路和低功耗待机模式切换。此外，该 MOSFET 还可用于驱动 LED 指示灯、传感器模块和小型继电器等负载。在数字电路中，该器件可作为逻辑电平转换器，将低电压控制器信号转换为较高电压的控制信号，适用于 I2C、SPI 等通信接口的隔离和信号控制。
由于其 P 沟道特性，LBSS139DW1T1G 也常用于高边开关电路，例如 USB 电源控制、DC-DC 转换器和电池充电管理模块。
Si2301DS、FDV303P、DMG2305UX、BSS84
