时间：2025/8/13 23:10:54
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LBSS138V3.3T1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的低电压N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于在低电压应用中提供高效率和高性能，特别适用于需要快速开关和低导通电阻的场合。LBSS138V3.3T1G采用小型表面贴装封装，适用于空间受限的设计。该器件具有较高的可靠性，并符合RoHS环保标准。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：100mA
导通电阻（RDS(on)）：1.8Ω @ VGS = 4.5V；2.2Ω @ VGS = 2.5V
功率耗散：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOT-23
LBSS138V3.3T1G MOSFET具有多项优异的电气特性，使其适用于多种低电压应用环境。首先，该器件的导通电阻较低，在VGS为4.5V时仅为1.8Ω，从而在开关过程中减少功率损耗，提高系统效率。此外，其最大漏源电压为30V，适用于中低电压范围的应用，例如电源管理和负载开关。该MOSFET的栅极驱动电压兼容3.3V和5V逻辑电平，便于与微控制器或其他数字电路直接连接。
其次，LBSS138V3.3T1G采用了小型SOT-23封装，占用PCB空间小，非常适合便携式电子设备和紧凑型电路设计。同时，其额定功率耗散为200mW，在正常工作条件下能够有效散热，确保稳定运行。此外，该器件具有良好的热稳定性和过热保护能力，能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定，适用于工业级和消费级电子产品。
另外，LBSS138V3.3T1G具备较高的可靠性，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于车载电子系统。其封装材料符合RoHS指令，不含有害物质，符合现代电子产品的环保要求。
LBSS138V3.3T1G广泛应用于各种低电压电子系统中，特别是在需要高效开关控制的场合。常见应用包括电源管理电路、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、LED驱动电路以及微控制器外围电路中的开关控制。由于其栅极驱动电压兼容3.3V逻辑电平，该器件也常用于嵌入式系统和物联网（IoT）设备中，作为低功耗开关元件使用。此外，该MOSFET也适用于便携式设备中的电源切换，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，提供高效的电能管理方案。
2N7002, BSS138, FDV301N, Si2302DS
