时间：2025/8/13 1:22:08
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BSS138LT1G 和 LBSS138LT1G 是常见的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于低电压开关应用。它们通常采用 SOT-23 或 SOT-323 小型封装，适合用于负载开关、逻辑电平转换和信号切换等场景。这两个型号在功能上基本相同，均为 BSS138 系列的 MOSFET 器件，主要区别可能在于制造商或品牌标识的不同。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：100 mA
最大漏源电压：50 V
最大栅源电压：10 V
导通电阻（Rds(on)）：约 4.5 Ω @ Vgs = 10 V
栅极电荷：约 5 nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23/SOT-323
BSS138LT1G 和 LBSS138LT1G MOSFET 具备良好的导通特性和快速开关性能，适用于低功耗和高频应用。它们的低导通电阻确保了在导通状态下具有较低的功率损耗，同时其高击穿电压使其能够承受一定的电压波动。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 2 V 至 10 V 之间工作，适合用于 3.3 V 或 5 V 的数字控制系统。此外，由于其小型封装，非常适合用于空间受限的 PCB 设计。由于其 N 沟道结构，BSS138LT1G 可用于低边开关配置，常用于控制 LED、继电器、小型电机和其它低功耗负载。此外，它也常被用于电平转换电路中，将低电压信号转换为高电压信号以控制其他电路模块。
这些 MOSFET 常见于便携式电子产品、工业控制设备、电源管理系统、通信设备、电平转换器、LED 驱动电路、继电器驱动电路、电池供电设备等场景。此外，它们也广泛用于 I2C、SPI 等总线接口的信号隔离和电平转换中。
2N7002, 2N7002K, FDN337N, NDS355AN, BSS123, IRLML2402
