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LBSS123LT1G 发布时间 时间:2025/8/14 2:59:56 查看 阅读:28

LBSS123LT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件适用于各种通用开关和放大应用,具有良好的性能和可靠性。LBSS123LT1G 采用SOT-23封装,便于在PCB上安装,并且具有较高的集成度和稳定性。这款晶体管在工业自动化、消费电子和通信设备中广泛使用。

参数

类型:NPN型晶体管
  封装类型:SOT-23
  最大集电极电流(IC):100 mA
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50 V
  最大基极-发射极电压(VEBO):5 V
  最大耗散功率(PD):300 mW
  电流增益(hFE):110 - 800(根据档位不同)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  频率响应:100 MHz(典型值)

特性

LBSS123LT1G 具有良好的电流放大性能和高频响应,适用于各种通用开关和放大电路。其SOT-23封装形式具有较小的体积,便于在高密度PCB设计中使用。该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,可根据具体应用选择不同档位的晶体管,以满足不同的设计需求。此外,LBSS123LT1G 具有较低的饱和压降(VCE(sat)),有助于降低功耗并提高系统的效率。
  该器件的制造工艺成熟,确保了其在不同工作条件下的稳定性和可靠性。LBSS123LT1G 的工作温度范围较宽,能够在-55°C至+150°C之间正常工作,适合在各种环境条件下使用。此外,该晶体管的高频响应特性使其适用于射频和高速开关应用。

应用

LBSS123LT1G 主要用于通用开关和放大电路,适用于工业自动化、消费电子和通信设备等领域。例如,在数字电路中,它可以作为开关元件,控制负载的通断;在模拟电路中,它可以用于信号放大和处理。此外,该晶体管还可用于电源管理、传感器接口和驱动电路等应用场景。由于其良好的高频特性,LBSS123LT1G 也可用于射频放大和高速开关应用。

替代型号

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, PN2222A

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