时间：2025/8/13 9:43:17
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LBSS123LT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于高频率开关应用。该器件设计用于低电压和中等功率应用，具有快速开关能力和低导通电阻的特点，广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理以及便携式设备中的功率控制。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：100mA
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23
LBSS123LT1G MOSFET具备多项优异特性，适用于多种低功率开关应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在2.8V栅极驱动下可确保高效的电流传输，从而减少功率损耗。其次，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于提高电源转换效率。
此外，LBSS123LT1G采用SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的便携式电子设备中使用。其热稳定性良好，能够在高温度环境下稳定运行，适用于工业级温度范围。栅极驱动电压兼容逻辑电平，可在低电压控制电路中直接使用，简化设计复杂度。
LBSS123LT1G广泛应用于需要低功耗、小尺寸和高效能的电子系统中。常见应用包括便携式电子产品中的电源管理模块、DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关控制、LED背光驱动以及电池供电设备中的开关控制电路。此外，由于其逻辑电平栅极驱动能力，该器件也适用于微控制器（MCU）或数字电路直接控制的功率开关场景。
Si2302DS, BSS138, 2N7002, FDV301N
