晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益带宽积（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23

LBS84LT1G晶体管具备多项优良特性，适用于广泛的电子设计需求。
　　首先，该晶体管的最大集电极电流为100 mA，足以满足多数低功率放大和开关应用的需求，同时确保在较高负载下仍能稳定运行。其集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30 V，使其在较高电压环境下也能可靠工作。
　　其次，LBS84LT1G具有较高的增益带宽积（fT）为100 MHz，适用于高频放大电路，如射频（RF）前置放大器和高速开关电路。此外，其电流增益（hFE）范围广泛（110-800），并根据等级不同分为多个档次，方便设计人员根据具体需求选择合适的晶体管，以优化电路性能。
　　再者，LBS84LT1G采用SOT-23封装，具有较小的体积和良好的热性能，适合高密度PCB布局，同时便于自动化装配。其最大功耗为300 mW，在正常工作条件下不易过热，提高了长期运行的可靠性。
　　最后，该晶体管的工作温度范围较宽，最高可达150°C，能够在较为严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、消费类电子产品和通信设备等应用场景。

LBS84LT1G晶体管因其优良的电气特性和紧凑的封装形式，被广泛应用于多种电子电路中。
　　首先，它常用于低功率放大电路，例如音频放大器的前置级和射频信号放大器，其高频响应能力使其在无线通信设备中表现优异。
　　其次，LBS84LT1G可用于数字电路中的开关应用，如驱动LED、继电器和小型电机等负载，其较高的电压耐受能力和稳定的电流控制特性使其成为理想的开关元件。
　　此外，该晶体管也适用于传感器电路中的信号调节和放大，例如温度传感器、光敏传感器和压力传感器等，其高增益和低噪声特性有助于提高传感器信号的精度和稳定性。
　　在电源管理方面，LBS84LT1G可以作为稳压电路或DC-DC转换器中的控制开关，其SOT-23封装形式有助于节省空间并提高集成度。
　　由于其良好的温度稳定性和可靠性，LBS84LT1G还广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等，满足这些设备对小型化和低功耗的需求。

BC847系列、2N3904、MMBT3904、2N2222A