LBS138LT1G 时间：2025/8/13 3:05:09 阅读：14

LBS138LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能等特点。LBS138LT1G 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，封装形式为 SOT-223，适合用于空间受限的 PCB 设计。该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电源管理模块等场合。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：4.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.4V ~ 2.5V
　　最大功耗（PD）：1.3W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

LBS138LT1G MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。该器件在 VGS=10V 的条件下，RDS(on) 仅为 55mΩ，适用于高效率电源设计。
　　此外，LBS138LT1G 采用先进的沟槽式结构，提高了器件的开关速度，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其栅极阈值电压范围为 1.4V 至 2.5V，允许使用较低的驱动电压，提高了与低压控制电路的兼容性。
　　该 MOSFET 具有良好的热稳定性，SOT-223 封装形式具备良好的散热能力，能够在有限的空间内实现高效的热管理。最大漏极电流为 4.1A，在 30V 的漏源电压下具备较高的负载能力，适用于多种中功率应用场合。
　　器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备较强的环境适应能力，适用于工业级和汽车电子应用。同时，该器件符合 RoHS 环保标准，适合用于绿色电子产品设计。

应用

LBS138LT1G MOSFET 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。其主要用途包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统。在 DC-DC 转换器中，LBS138LT1G 可作为高边或低边开关，提供高效的电压转换功能，适用于笔记本电脑电源、便携式电子设备和嵌入式系统电源模块。
　　在负载开关应用中，该器件可用于控制电源通断，实现快速响应和低功耗管理。此外，LBS138LT1G 也可用于电机驱动和 LED 照明控制系统，提供稳定的开关性能和良好的过载保护能力。
　　由于其封装尺寸小、导通电阻低，该器件非常适合用于空间受限的 PCB 设计，如智能手机、平板电脑、无人机和小型机器人等便携式设备的电源管理系统中。
　　在汽车电子应用中，LBS138LT1G 可用于车载充电系统、车身控制模块、车载娱乐系统等，满足汽车电子对可靠性和环境适应性的要求。