时间：2025/8/13 22:38:40
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LBR412T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的表面贴装小信号双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型晶体管。该器件适用于通用开关和放大应用，具有良好的高频性能和较低的饱和电压。LBR412T1G 采用 SOT-23 封装，适用于各种电子电路中的基本晶体管需求。
类型：NPN 双极性晶体管
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集射电压（Vce）：50 V
最大基极电流（Ib）：5 mA
最大耗散功率（Pd）：300 mW
电流增益（hFE）：110（最小值，测试条件 Ic=2 mA, Vce=5 V）
截止频率（fT）：100 MHz
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
LBR412T1G 晶体管具有多项优良特性，适用于多种通用电子电路设计。首先，其 NPN 结构提供了良好的电流放大能力，适用于低频到高频范围内的信号放大应用。在测试条件下，其电流增益 hFE 最小为 110，确保了稳定的放大性能。
其次，该晶体管的最大集电极电流为 100 mA，最大集射电压为 50 V，能够在较宽的电压范围内工作，适用于多种电源条件下的电路设计。其 SOT-23 封装形式不仅体积小巧，适合表面贴装工艺，还能有效提升生产效率和空间利用率。
此外，LBR412T1G 的截止频率（fT）为 100 MHz，表明其在高频开关应用中表现出色，适用于数字逻辑电路、脉冲放大器和高速开关电路。其最大功耗为 300 mW，能够在中等功率条件下稳定运行，不会因过热而损坏。
该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种环境条件下的应用，包括工业控制、消费电子和汽车电子等领域。其高可靠性和稳定性使其成为工程师在设计通用晶体管电路时的首选之一。
LBR412T1G 主要应用于通用晶体管开关和放大电路。其高频特性使其适用于射频（RF）前端电路、音频放大器和信号处理电路。此外，该晶体管常用于数字逻辑电路中的开关元件，例如在微控制器外围电路中用于驱动 LED、继电器或小型电机。
在电源管理电路中，LBR412T1G 可用于低功耗 DC-DC 转换器、电压调节器和负载开关。由于其 SOT-23 小型封装，特别适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
另外，该晶体管还可用于传感器接口电路，作为信号放大和调理的一部分。例如，在温度传感器或光敏传感器电路中，LBR412T1G 可用于放大微弱信号，提高测量精度。
在工业自动化系统中，LBR412T1G 可用于控制继电器、指示灯和小型执行器，适用于自动化控制面板和嵌入式系统。其宽工作温度范围也使其适用于户外和恶劣环境下的电子设备。
2N3904, BC547, PN2222A
