类型：单通道IGBT/MOSFET驱动器
　　输入电压范围：3.0V 至 5.5V
　　输出驱动电压：+15V / -9V（典型值）
　　峰值输出电流：2.5A（拉电流）/ 2.5A（灌电流）
　　隔离电压：5700 V RMS（1分钟，符合UL1577）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：150 kV/μs（典型值）
　　传播延迟时间：最大75ns
　　上升时间（典型值）：15ns（1000pF负载）
　　下降时间（典型值）：10ns（1000pF负载）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　供电电压（VDD1/VDD2）：3.3V 或 5V 逻辑兼容
　　封装类型：SOIC-16宽体（含爬电距离优化）
　　安全认证：符合UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-17标准

LBQ99A-J的核心特性之一是其高共模瞬态抗扰度（CMTI），达到150kV/μs，这使得它在高频开关和高噪声环境下依然能够保持信号完整性，防止因电压瞬变导致的误触发或逻辑翻转。这一性能对于现代高频电力电子系统（如电动汽车充电桩、光伏逆变器、工业伺服驱动器）至关重要。其内置的去饱和检测电路可通过监测IGBT的集电极-发射极电压来判断是否发生短路故障，并在检测到异常时迅速启动软关断程序，避免功率器件因长时间过流而烧毁。该功能结合可编程的消隐时间（blanking time）设置，可以有效区分正常开关瞬态与真实故障，提升系统的容错能力和安全性。
　　另一个关键特性是有源米勒钳位功能，当IGBT处于关断状态时，若因高dV/dt耦合在栅极产生寄生导通风险，该功能会自动将栅极强制拉低，防止非预期导通引发桥臂直通（shoot-through）。这种主动保护机制显著提高了系统在高电压切换环境中的可靠性。此外，LBQ99A-J提供负电压关断能力（-9V），进一步增强了对噪声的免疫能力，确保IGBT在复杂电磁环境中也能可靠关断。
　　该器件还集成了欠压锁定（UVLO）保护，分别监控高边和低边电源，若供电电压低于设定阈值，则自动禁止输出，防止IGBT在非正常电压下工作而导致性能下降或损坏。所有这些保护机制协同工作，使LBQ99A-J成为高性能、高安全性功率驱动应用的理想选择。其宽体SOIC-16封装不仅满足工业级隔离要求，而且便于PCB布局和自动化生产。

LBQ99A-J常用于需要高隔离等级和高抗扰度的工业与能源系统中。例如，在三相电机驱动器中，它可以作为半桥或全桥拓扑中IGBT模块的驱动核心，确保精确的开关时序和可靠的故障保护。在太阳能光伏逆变器中，由于系统需长期运行于户外恶劣环境且面临频繁的雷击或电网波动，LBQ99A-J的高CMTI和多重保护功能可有效保障逆变器的安全运行。此外，该芯片也适用于不间断电源（UPS）、焊接设备、感应加热炉以及电动汽车车载充电机（OBC）等应用领域。
　　在铁路牵引系统或风力发电变流器中，LBQ99A-J可用于驱动大功率IGBT模块，实现高效的能量转换与控制。其支持高速开关操作的能力有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。同时，由于其具备功能隔离特性，也可用于构建符合IEC 61800-5-1或IEC 62109等安全标准的功率变换装置。在医疗电源或高端测试仪器中，对电气隔离和信号完整性的严格要求也使其成为一个理想的驱动解决方案。总之，凡是涉及高压、高频、高可靠性的功率开关场景，LBQ99A-J都能发挥出色的性能表现。

NCD57081DR2G
　　NCV57081DR2G
　　UCC21700PWR