类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：13A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　导通电阻 RDS(on)：典型值为 8.5mΩ（VGS=10V 时）
　　开启阈值电压（VGS(th)）：1.4V 至 2.5V
　　最大功率耗散（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：DPAK（3 引脚）

LBP5013N3T5G 的核心特性是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其 RDS(on) 在 VGS=10V 时仅为 8.5mΩ，确保在高电流条件下仍能保持较低的压降。此外，该 MOSFET 具备快速开关能力，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了电流处理能力和热性能。在高负载条件下，LBP5013N3T5G 可以有效地将热量传导至 PCB 板，从而提高系统的稳定性和可靠性。其封装形式为 DPAK（TO-252），具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺。
　　此外，LBP5013N3T5G 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，兼容多种驱动电路设计。其开启阈值电压较低，便于与标准逻辑电平配合使用。该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量耐受能力，提高了在高压瞬态条件下的鲁棒性。

LBP5013N3T5G 广泛应用于各类电源管理系统，包括同步整流 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关以及电源分配系统。其低导通电阻和高效率的特性使其成为高性能电源设计中的理想选择。
　　在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载电源转换器、LED 照明驱动器和电机控制系统。其宽温度范围和高可靠性也使其适用于工业自动化设备、UPS 系统、服务器电源模块等对稳定性要求较高的应用场合。

SiSS130DN, IRF7413PbF, FDS6680, NTD13N03R2ST5G