时间：2025/12/27 10:48:57
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LBM2016TR68JV是一款由松下（Panasonic）生产的多层陶瓷片式电感器（MLCI，Multilayer Ceramic Chip Inductor），属于LBM系列。该系列产品专为高频应用设计，采用先进的多层陶瓷制造工艺，具有小型化、高Q值、低直流电阻和良好的温度稳定性等特点。LBM2016TR68JV的封装尺寸为2016（即2.0mm x 1.6mm），符合EIA标准的0806封装规格，适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。该电感器主要用于射频（RF）电路中，如移动通信设备中的匹配网络、滤波器和谐振电路等。其标称电感值为6.8nH，允许有一定的公差范围，通常为±0.3nH或根据具体规格书定义。作为一款高频电感，LBM2016TR68JV能够在GHz级别的频率下保持稳定的性能表现，适用于智能手机、平板电脑、无线模块以及其他便携式电子设备中的射频前端设计。
LBM2016TR68JV采用了镍/金端子电极结构，具备良好的可焊性和耐热性，支持回流焊接工艺，能够承受高温焊接过程而不影响电气性能。此外，该器件还具有较强的抗机械应力能力，能够在振动和温度循环等恶劣环境下保持可靠工作。由于其出色的高频特性和紧凑的封装尺寸，LBM2016TR68JV被广泛应用于各类高频信号处理场景，尤其是在需要精确电感值控制和低插入损耗的应用中表现出色。该产品符合RoHS指令要求，属于无铅环保型元器件，适用于现代绿色电子产品制造。
型号：LBM2016TR68JV
制造商：Panasonic
封装尺寸：2016 (2.0 x 1.6mm)
电感值：6.8nH
电感公差：±0.3nH
额定电流：50mA (典型值)
直流电阻(DCR)：1.2Ω (最大值)
自谐振频率(SRF)：4.5GHz (最小值)
Q值：≥35 @ 1GHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
端子类型：Ni/Au电镀端电极
安装方式：表面贴装(SMT)
LBM2016TR68JV作为松下LBM系列中的高频片式电感器，其核心优势在于卓越的高频性能与小型化设计的完美结合。该器件采用多层陶瓷共烧技术（LTCC，Low Temperature Co-fired Ceramic），通过精密的内部线圈结构实现稳定的电感值输出，并有效降低寄生电容，从而显著提升自谐振频率（SRF）。其SRF最低可达4.5GHz，使其在2.4GHz Wi-Fi、5GHz WLAN以及部分毫米波前段应用中仍能保持接近理想电感的行为，避免因接近谐振点而导致的阻抗失真问题。高Q值（在1GHz时不低于35）意味着该电感在高频下具有较低的能量损耗，这对于提高射频电路的效率、减少发热以及优化信号完整性至关重要。例如，在功率放大器（PA）输出匹配网络或低噪声放大器（LNA）输入匹配中，使用高Q电感能够有效减少插入损耗，提升增益和线性度。
该电感器的直流电阻（DCR）最大仅为1.2Ω，虽然在绝对数值上看似不高，但在高频小电流应用场景下，这一参数直接影响到电感的品质因子Q和温升特性。低DCR有助于减小I2R损耗，延长电池供电设备的工作时间。同时，其额定电流为50mA，足以满足大多数射频偏置电路和匹配网络的需求。LBM2016TR68JV具备优异的温度稳定性，在-40°C至+125°C的宽工作温度范围内，电感值漂移极小，确保了系统在各种环境条件下的可靠性。此外，其Ni/Au端子结构不仅提供了良好的可焊性，还能防止银迁移现象的发生，增强了长期使用的可靠性。该器件通过AEC-Q200认证的可能性较高，适用于汽车电子中的射频模块。整体而言，LBM2016TR68JV凭借其高频特性、稳定性和小型化优势，成为现代无线通信设备中不可或缺的关键元件之一。
LBM2016TR68JV主要应用于高频射频电路中，尤其适合用于移动通信设备的射频前端模块。其典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的蜂窝通信系统（如LTE、5G NR）、Wi-Fi 6/6E（2.4GHz和5GHz频段）以及蓝牙/BLE无线连接模块的匹配网络设计。在这些应用中，该电感常被用作LC滤波器的一部分，用于抑制带外干扰信号或构建谐振回路以实现阻抗匹配。例如，在功率放大器（PA）的输出端，LBM2016TR68JV可以与外部电容组成π型或T型匹配网络，将PA的输出阻抗转换为50Ω系统阻抗，从而最大化功率传输效率并减少反射损耗。同样，在低噪声放大器（LNA）的输入端，它可用于构建高Q值的选频网络，提升接收灵敏度。
此外，该电感也广泛用于无线基站的小型化射频单元、物联网（IoT）传感器节点、穿戴式设备以及UAV（无人机）通信链路中的射频信号调理电路。由于其封装尺寸仅为2016，在高度集成的模块中能够节省宝贵的PCB空间，支持更高密度的布局布线。在测试测量设备中，如矢量网络分析仪（VNA）的前端接口电路，LBM2016TR68JV也可用于校准和补偿电路中，确保高频信号路径的准确性。随着5G毫米波技术的发展，虽然该器件本身工作频段集中在Sub-6GHz范围，但其在中频处理和本振（LO）路径中的去耦和滤波功能依然具有重要价值。总之，凡是需要稳定、高效且小型化高频电感的场合，LBM2016TR68JV都是一个极具竞争力的选择。
LQM21PN6N8MG0L
DLW21SN6N8SQ2L
LL1608-FH-6N8G
