产品类型：陶瓷电容器（MLCC）
　　封装尺寸：2016（2.0mm x 1.6mm）
　　电容值：220pF
　　电容容差：±5%
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：X7R（典型值，具体以规格书为准）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%（X7R）
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 R*C ≥ 500S
　　耐压能力：1.5倍额定电压，持续5秒无击穿
　　等效串联电阻（ESR）：低（具体值依频率而定）
　　自谐振频率（SRF）：数百MHz级别（取决于电路布局）
　　包装形式：编带（Tape and Reel）
　　端接类型：镍阻挡层+锡镀层（Ni/Sn），兼容SMT贴片工艺

LBM2016T221J具有优异的温度稳定性与频率响应特性，尤其是在中高频段表现出较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其成为高频去耦和滤波应用的理想选择。其X7R介质材料提供了在-55°C至+125°C范围内电容变化不超过±15%的性能保障，适合用于对电容值稳定性有一定要求但不需要C0G级超高精度的应用场合。该器件的小型化封装（2016）有助于节省PCB空间，提升单位面积内的元件集成度，特别适用于高密度布板的现代电子设备，如智能手机、平板电脑、无线模块和小型化电源管理单元。
　　该电容器采用多层结构设计，内部由数十甚至上百层陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，显著提升了单位体积下的有效电容密度。同时，这种结构增强了机械强度，提高了抗振动和热冲击的能力。在制造过程中，采用了高温共烧技术（HTCC或LTCC工艺），确保各层之间的结合牢固，减少因温度循环引起的开裂风险。此外，外电极经过多层金属化处理（如铜镍锡体系），增强了可焊性和长期可靠性，避免出现虚焊或脱落现象。
　　在电气性能方面，LBM2016T221J具备良好的直流偏压特性，在额定电压下电容值下降幅度较小，优于许多高介电常数材料（如Y5V）制成的电容。这使得其在电源轨去耦应用中能保持较为稳定的滤波效果。其自谐振频率较高，通常可达数百兆赫兹，意味着在高频范围内仍能有效发挥电容作用，而非呈现感性。这一特性对于高速数字电路中的噪声抑制至关重要，例如在CPU供电引脚附近用作旁路电容时，可以快速响应瞬态电流变化，维持电压稳定。
　　该器件还具备出色的长期稳定性，老化率低，使用寿命长，在正常工作条件下可稳定运行多年而无需更换。所有生产流程均符合ISO质量管理体系标准，并通过AEC-Q200等可靠性测试（若用于汽车级应用需确认具体等级）。产品不含卤素，符合RoHS、REACH等环保指令要求，适用于出口型电子产品。

LBM2016T221J广泛应用于各类需要稳定电容性能和小型封装的电子设备中。常见用途包括电源管理电路中的输入/输出滤波电容，用于平滑电压波动并抑制开关噪声；在DC-DC转换器、LDO稳压器周围作为去耦电容，提供瞬态电流支持，防止电压跌落影响系统运行。此外，该电容也常用于模拟信号链路中的耦合与旁路，例如音频放大器、传感器信号调理电路中，起到隔直通交和高频噪声滤除的作用。
　　在射频（RF）和无线通信模块中，LBM2016T221J可用于阻抗匹配网络、LC滤波器和谐振回路，因其相对稳定的电容值和较低的损耗角正切（Dissipation Factor），有助于维持系统频率响应的一致性。在高速数字系统中，如微处理器、FPGA、ASIC等芯片的供电引脚附近，该电容承担着重要的局部储能和高频噪声旁路功能，确保核心逻辑单元获得干净稳定的电源供应，防止因地弹或电源反弹导致误操作。
　　工业控制设备、医疗电子、消费类电子产品（如智能手表、TWS耳机、IoT终端）也是其主要应用领域。由于其支持自动化贴片装配，适合大规模SMT生产线使用，因此被广泛采用在现代电子产品制造流程中。在汽车电子中，若该型号通过AEC-Q200认证，则可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统或辅助驾驶系统的电源滤波部分。总体而言，该器件适用于任何需要小型化、高可靠性和良好温度特性的陶瓷电容的应用场景。

GRM21BR71H221KA01L
　　CL21A221JBANNNC
　　C2012X7R1H221K