时间：2025/8/13 11:19:35
阅读：22
LBCX70KLT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件专为高频应用而设计，适用于无线通信设备、射频放大器和高速开关电路。LBCX70KLT1G采用SOT-23（小外形晶体管）封装，适用于表面贴装技术（SMT），非常适合空间受限的高密度电路板设计。
类型：NPN双极型晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
集电极-基极电压（VCBO）：50V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
集电极电流（IC）：100mA
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
封装类型：SOT-23
LBCX70KLT1G晶体管具备优异的高频性能，其增益带宽积达到100MHz，使其适用于高频放大和高速开关应用。
该器件的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800不等，具体取决于分档等级，能够满足不同设计对增益的要求。
由于其低饱和电压和快速开关特性，LBCX70KLT1G在数字和模拟电路中均表现出色，特别是在需要高效能和低功耗的便携式设备中。
此外，LBCX70KLT1G的SOT-23封装具有较小的体积，适合高密度PCB布局，并具备良好的热稳定性和机械强度。
该晶体管符合RoHS标准，无铅环保，适用于自动化装配流程。
LBCX70KLT1G广泛应用于射频（RF）放大器、无线通信模块、功率放大器前级、高速开关电路以及各类消费电子和工业控制设备中的信号放大和开关控制。
它也常用于音频放大器、传感器接口电路、电源管理电路以及低噪声前置放大器中。
此外，该晶体管还适用于需要高频率响应的数据通信设备、射频识别（RFID）系统和小型无线发射器。
BCX70K、MMBT3904、2N3904、PN2222A
