晶体管类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压 (Vce)：30 V
　　集电极-基极电压 (Vcb)：30 V
　　发射极-基极电压 (Veb)：5 V
　　最大集电极电流 (Ic)：100 mA
　　最大功耗 (Pd)：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　增益带宽积 (fT)：8 GHz
　　电流增益 (hFE)：110 至 800（根据工作点不同）

LBC850BLT1G 拥有出色的高频性能，这使其非常适合用于射频（RF）放大电路和低噪声前置放大器。其增益带宽积高达 8 GHz，确保在高频下仍能保持良好的信号放大能力。
　　此外，该晶体管具有低噪声系数，通常在 1 dB 以下，适用于对噪声敏感的应用，如无线通信系统和接收器前端。
　　其 SOT-23 小型封装不仅节省空间，而且便于在高密度 PCB 设计中使用。LBC850BLT1G 的 hFE（电流增益）范围较宽，从 110 到 800 不等，允许在不同偏置条件下灵活使用。
　　由于其良好的热稳定性和封装设计，LBC850BLT1G 在高温环境下也能保持稳定的工作性能。该器件还具有较高的可靠性，适用于工业级和汽车电子应用。

LBC850BLT1G 主要用于射频（RF）放大器、低噪声前置放大器、高频振荡器和混频器等电路中。它广泛应用于无线通信设备、蜂窝基站、无线局域网（WLAN）、卫星通信和测试测量设备。
　　此外，该晶体管也常用于音频放大器中的前置放大级，以提供高增益和低噪声性能。由于其封装小巧，LBC850BLT1G 也非常适合用于便携式电子产品和高密度 PCB 设计。
　　在汽车电子领域，LBC850BLT1G 可用于车载通信模块和传感器信号调理电路。其高稳定性和宽温度范围也使其适用于工业自动化和控制系统中的高频信号处理部分。

BFU520, BFG521, BFR93A, 2N3904, 2SC3355