LBC848CDW1T1是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的双极型晶体管阵列集成电路。该器件集成了多个晶体管,适用于各种模拟和数字电路应用。该封装形式为表面贴装封装,适用于高密度PCB设计和自动化装配流程。
晶体管类型:NPN/PNP组合
集电极-发射极电压(Vceo):最大额定值为30V
连续集电极电流(Ic):100mA/晶体管
功耗(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TSSOP
LBC848CDW1T1的主要特性包括高集成度、低功耗和良好的热稳定性。该器件在单一芯片上集成了多个晶体管,节省了PCB空间并提高了电路设计的灵活性。其低饱和电压和快速开关特性使其适用于高频开关应用。此外,该器件具有优良的温度稳定性和可靠性,适合在恶劣环境中使用。
LBC848CDW1T1采用先进的制造工艺,确保了晶体管之间的一致性和匹配性,这对于需要精确电流镜或差分放大器的应用非常重要。该器件还内置了保护机制,如过热和过电流保护,以提高系统的整体稳定性。
此外,LBC848CDW1T1的封装设计符合RoHS标准,支持绿色环保的电子制造流程。该器件适用于多种应用场景,包括电源管理、信号处理、接口电路和嵌入式系统设计。
LBC848CDW1T1广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。具体应用包括电源管理电路、信号放大器、接口转换器、继电器驱动电路以及传感器信号调理电路等。
LBC848CDW1T1G, LBC848CDW1T1E, LBC848CDW1T1R