类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-323（SC-70）
　　增益带宽积：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级划分）

LBC847CPDW1T1G 晶体管具有优异的性能特性，适用于广泛的电子设计需求。首先，其最大集电极-发射极电压为30V，能够支持中等电压的应用环境，而最大集电极电流为100mA，适合用于低功率开关或信号放大。其次，该晶体管的功耗为300mW，结合其SOT-323小型封装，使其在空间受限的设计中依然能够稳定运行。
　　该晶体管的工作温度范围从-55°C到+150°C，确保了其在极端环境下的可靠性，适用于工业和汽车电子等严苛应用场景。其100MHz的增益带宽积提供了良好的高频响应，适合用于射频信号处理或高速开关应用。
　　此外，LBC847CPDW1T1G 的电流增益（hFE）范围为110到800，具体数值取决于器件等级，这使得它能够适应不同放大需求。晶体管的 hFE 特性可以通过外部偏置电路进行优化，以实现最佳的性能表现。
　　该器件的SOT-323封装不仅节省空间，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产并提高电路板的组装效率。这种封装形式在现代电子制造中非常常见，尤其是在便携式设备和高密度PCB设计中。

LBC847CPDW1T1G 是一款通用型晶体管，广泛应用于各种电子系统中。在信号放大方面，该晶体管常用于音频放大器、射频放大器和运算放大器的前置级，以增强弱信号。在开关电路中，LBC847CPDW1T1G 可作为低侧开关，用于控制LED、继电器、小型电机等负载。此外，它还适用于数字逻辑电路、缓冲器、逆变器和接口电路中，作为电平转换或信号驱动元件。
　　在消费电子领域，该晶体管可用于智能手机、平板电脑、穿戴设备和智能家居控制器等设备中的信号处理和电源管理模块。在工业自动化中，LBC847CPDW1T1G 常用于PLC、传感器接口和继电器驱动电路中。此外，该晶体管也适用于汽车电子系统，如车身控制模块、仪表盘指示灯控制和车载娱乐系统等应用。
　　由于其高频性能，LBC847CPDW1T1G 还可用于无线通信模块、射频识别（RFID）设备和蓝牙/Wi-Fi模组中的信号处理和功率控制部分。

BC847C NXP, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A