时间：2025/5/7 17:52:56
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LBC847CLT1G 是一款基于硅锗 (SiGe) 工艺的高性能射频功率晶体管，广泛应用于无线通信系统中的功率放大器设计。该晶体管具有高增益、高线性度和优异的效率特性，适用于 GSM、CDMA 和 WCDMA 等多种通信标准下的基站设备。
其封装形式为气密封装，能够有效提高可靠性，并且具备出色的热性能表现，确保在高频和高功率应用场景下稳定运行。
最大频率：3.8 GHz
饱和输出功率：45 dBm
增益：16 dB
电源电压：28 V
静态电流：0.3 A
封装形式：LT1G
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
LBC847CLT1G 具备卓越的射频性能，在高频应用中表现出色。它支持高达 3.8 GHz 的频率范围，满足现代无线通信系统的严格要求。同时，其高线性度和低互调失真特性使得该晶体管非常适合多载波功率放大器 (MCPA) 应用。
此外，LBC847CLT1G 的高效散热设计有助于降低热阻，从而提升长期工作的可靠性。气密性封装进一步增强了其在恶劣环境下的耐用性。
对于需要高功率密度的应用场景，这款晶体管也表现出色，能够以较小尺寸实现大功率输出，简化了系统设计并节省空间。
LBC847CLT1G 主要应用于无线基础设施领域，包括但不限于：
- 基站功率放大器
- 射频拉远单元 (RRU)
- 微波回传系统
- 固定无线接入 (FWA) 设备
- 军事及航空航天领域的高可靠性射频设备
由于其宽广的工作频率范围和高功率能力，该晶体管也可以用于测试与测量设备以及工业科学医疗 (ISM) 领域的射频能量应用。
LBC846CLT1G
MOSFET系列的BLF847C
LDMOS工艺的RFC847
