时间：2025/8/14 0:55:07
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LBC847CDW1T1G 是一个由ON Semiconductor制造的双极性NPN晶体管阵列。这个器件包含两个独立的NPN晶体管，它们共享一个公共的集电极连接。这种设计使得LBC847CDW1T1G非常适合用于需要多个晶体管的电路设计中，尤其是在空间受限的应用中。由于其小型化的封装和高性能的特性，LBC847CDW1T1G被广泛用于放大器电路、开关电路以及逻辑电平转换等应用。
类型：双极性NPN晶体管阵列
配置：双晶体管阵列（共享集电极）
最大集电极电流（IC）：100mA
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
最大基极电流（IB）：5mA
增益带宽积（fT）：100MHz
增益（hFE）：110-800（根据不同的电流水平）
封装类型：SOT-363（6引脚）
工作温度范围：-55°C至150°C
LBC847CDW1T1G 的主要特性之一是其集成化的双晶体管设计，这使得它在电路设计中能够节省宝贵的PCB空间。两个晶体管共享一个集电极连接，但各自拥有独立的基极和发射极连接，这种结构非常适合用于差分放大器、电流镜或其他需要配对晶体管的应用。每个晶体管的增益（hFE）可以根据工作电流的不同而变化，通常在110到800之间。此外，该器件具有较高的频率响应，增益带宽积为100MHz，这使其适用于中高频放大应用。LBC847CDW1T1G的SOT-363封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的热性能和机械稳定性，适合在各种环境条件下工作。该晶体管的额定工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在极端温度条件下保持稳定的工作性能。此外，LBC847CDW1T1G还具有较低的饱和压降，有助于减少功率损耗并提高电路的整体效率。
LBC847CDW1T1G 广泛应用于需要高性能双晶体管的电路设计中。例如，在音频放大器电路中，它可以用于构建差分输入级，以提高放大器的线性度和稳定性。在数字电路中，LBC847CDW1T1G可用于构建逻辑电平转换器，将低电压逻辑信号转换为高电压逻辑信号，或反之。此外，它还可以用于构建精密的电流镜电路，以提供稳定的电流源。在传感器接口电路中，LBC847CDW1T1G可以用于信号放大和调理，以提高传感器信号的精度和稳定性。由于其小型化封装，LBC847CDW1T1G也常用于便携式电子产品、无线通信设备以及汽车电子系统中。
BC847C, BC850C, MMBT847
